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3 年
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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0.99ミリオーム @ 36A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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3V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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209 nC @ 10 V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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14965 pF @ 15 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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2.5W(Ta)、104W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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8-PQFN (5x6)
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パッケージ・ケース
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のFDMS7650はの8-力TDFNパッケージ力MOSFET設計に提供高い-スピード切り替えパフォーマンスと低いゲート充電。の高度プロセステクノロジーとデザインのこれデバイス保証します上長RDS(の上)と低いゲート充電、作るそれ理想ために高い現在アプリケーション。これは低いドレイン-ソースの上-レス距離と低いゲート充電提供低い力損失と効率的切り替え。それはまた最適化されたためにアプリケーション要求が厳しい速い切り替えと高い周波数手術。
これデバイスは適切ために使用の両方同期私たちと非同期切り替え回路。の建てられた-の保護特徴提供上長システム信頼性との屈強パッケージデザイン保証します上長熱のパフォーマンス。のFDMS7650はの理想選択ために高い現在アプリケーション必要とする効率的切り替えと低い力損失。
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