最新の価格を尋ねる
確認済みサプライヤー
3 年
Add to Cart
FCD2250N80Z MOSFETのパワー エレクトロニクス
TO-252AAのパッケージのN-ChannelのSuperFET® II MOSFET 800V 2.6A
|
FETのタイプ
|
||
|
技術
|
MOSFET （金属酸化物）
|
|
|
流出させなさいに源の電圧（Vdss）
|
||
|
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
|
||
|
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
|
10V
|
|
|
（最高） @ ID、VgsのRds
|
2.25Ohm @ 1.3A、10V
|
|
|
Vgs （（最高） Th） @ ID
|
4.5V @ 260µA
|
|
|
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
|
14 NC @ 10ボルト
|
|
|
Vgs （最高）
|
±20V
|
|
|
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
|
585 pF @ 100ボルト
|
|
|
FETの特徴
|
-
|
|
|
電力損失（最高）
|
39W （Tc）
|
|
|
実用温度
|
-55°C | 150°C （TJ）
|
|
|
タイプの取付け
|
||
|
製造者装置パッケージ
|
TO-252AA
|
|
|
パッケージ/場合
|
特徴
•RDSの（） = 1.8Typ。）
•超低いゲート充満（タイプ。Qg = 11 NC）
•低いEoss （タイプ。1.1 uJ @ 400V）
•低く有効な出力キャパシタンス（タイプ。Coss （eff.） = 51 pF）
•100%のなだれはテストした
•迎合的なRoHS
•ESDは機能の適用を改善した
•AC - DC電源•LEDの照明
記述
SuperFET® II MOSFETはフェアチャイルドの半導体の顕著で低いオン抵抗およびより低いゲート充満性能のために充満バランスの技術を利用している真新しい高圧超接続点（SJ） MOSFET家族である。この技術は伝導の損失を、優秀な転換の性能最小にするために、dv/dt率およびより高いなだれエネルギーを提供するために合う。その結果、SuperFET II MOSFETは音声、ラップトップのアダプター、照明、ATX力および産業力の適用のような転換力の適用のために非常に適している。
私達からの買物>>>の速く/安全に/便利になぜ
•SKLは電子部品の標準的な看守そして貿易会社である。私達の営業所は中国、香港、Sigapore、カナダを含んでいる。私達の全体的なメンバーのための提供ビジネス、サービス、resourcingおよび情報。
•商品は良質の可能の保障され、速度および精密の私達の顧客に世界中渡される。
>>>を買う方法
•私達に電子メールによって連絡しなさい及びあなたの尋ねるあなたの輸送の行先と送った。
•オンライン雑談は、長官できるだけ早く答える。
サービス>>>
•世界的な、DHL、TNT、UPS、FEDERAL EXPRESS等のバイヤーへの運送業者の輸送は出荷問題を心配する必要はない
•私達はできるだけすぐに答えることを試みる。しかし時間帯の相違が原因で、あなたの郵便を答えられる得るために24時間まで認めなさい。プロダクトはある装置によってテストされたまたは質問題がないことをソフトウェア、私達は保障する。
•私達は全体的なバイヤーへの提供の速く、便利で安全な交通機関サービスに託される。
