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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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6V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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128mOhm @ 2.8A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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7 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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395 pF @ 75ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.2W （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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SOT-223-4
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターFDT86244 Mosfetのパワー エレクトロニクス
記述:
オン・セミコンダクターFDT86244は広い応用範囲の優秀な性能を提供するように設計されている高性能の、ローパワーMOSFETのパワー エレクトロニクス装置である。それは低いゲート充満および低いオン抵抗の高速転換の頻度を提供する。それは運動制御、DC-DCの転換および力管理のような強力な適用のために適している。
特徴:
•低いオン抵抗:典型的な0.086mΩ
•高速切換え:典型的な4.5V/ns
•低いゲート充満:典型的な7nC
•実用温度範囲:-55°Cへの175°C
•最高の下水管源の電圧:100V
•最高の下水管の流れ:100A
•パッケージ:TO-220、TO-220F、TO-247、TO-247AD、TO-252およびD2PAK
