最新の価格を尋ねる
確認済みサプライヤー
3 年
Add to Cart
|
FETのタイプ
|
||
|
技術
|
MOSFET （金属酸化物）
|
|
|
流出させなさいに源の電圧（Vdss）
|
||
|
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
|
||
|
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
|
4.5V、10V
|
|
|
（最高） @ ID、VgsのRds
|
25mOhm @ 6.3A、10V
|
|
|
Vgs （（最高） Th） @ ID
|
3V @ 250µA
|
|
|
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
|
15 NC @ 10ボルト
|
|
|
Vgs （最高）
|
±20V
|
|
|
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
|
570 pF @ 15ボルト
|
|
|
FETの特徴
|
-
|
|
|
電力損失（最高）
|
1.6W （Ta）
|
|
|
実用温度
|
-55°C | 150°C （TJ）
|
|
|
タイプの取付け
|
||
|
製造者装置パッケージ
|
SuperSOT™-6
|
FDC 655のBN.はSOT-23-6パッケージで収容されるフェアチャイルドの半導体からのN-channel力MOSFETである。それは0.04 Ωの低いオン抵抗、1.0ボルトの低い境界の電圧、および2.5 Aの高く連続的な下水管の流れを提供する。FDC 655のBN.は速い切り替え速度の優秀な転換の性能を提供し、広い応用範囲のために適している。
この装置は150°Cの最高の接合部温度および30ボルトの評価される下水管源の絶縁破壊電圧と設計されている。それに低い転換の損失および改善された効率に終ってゲートと源間の低いキャパシタンスが、ある。FDC 655のBN.は低い消費電流がそれが電池の寿命を拡張するようにするので、電池式の適用の使用にとって理想的である。それは力の管理システムおよび他の高速転換の適用の使用にとってまた理想的である。
FDC 655のBN.は迎合的なRoHS、過電圧の保護、過電流保護および短絡の保護のような統合された記憶保護機構を特色にする。それにまた作り付けの過熱する記憶保護機構がある。FDC 655のBN.は高性能、信頼できる、および費用効果が大きい力の解決のための優秀な選択である。
私達からの買物>>>の速く/安全に/便利になぜ
•SKLは電子部品の標準的な看守そして貿易会社である。私達の営業所は中国、香港、Sigapore、カナダを含んでいる。私達の全体的なメンバーのための提供ビジネス、サービス、resourcingおよび情報。
•商品は良質の可能の保障され、速度および精密の私達の顧客に世界中渡される。
>>>を買う方法
•私達に電子メールによって連絡しなさい及びあなたの尋ねるあなたの輸送の行先と送った。
•オンライン雑談は、長官できるだけ早く答える。
サービス>>>
•世界的な、DHL、TNT、UPS、FEDERAL EXPRESS等のバイヤーへの運送業者の輸送は出荷問題を心配する必要はない
•私達はできるだけすぐに答えることを試みる。しかし時間帯の相違が原因で、あなたの郵便を答えられる得るために24時間まで認めなさい。プロダクトはある装置によってテストされたまたは質問題がないことをソフトウェア、私達は保障する。
•私達は全体的なバイヤーへの提供の速く、便利で安全な交通機関サービスに託される。
