インバーター用 igbt ドライバ回路

15A 1200V インバーター IGBT ショート回路 耐久時間 10μS モータードライバー Nチャネル強化モード パワー IGBT LGT15N120B 特徴 • トレンチとフィールドストップ技術 • コレクターからエミッターへの低飽和電圧 • 短回路は10μsに耐える • 高耐.........

NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBTモジュールの運転者回路の三相インバーター ブレーキ26-DIPが付いている自動車IGBTモジュールNXH50C120L2C2ES1G三相インバーター NXH50C120L2C2ES1Gの製品の説明 NXH50C120L2C2E.........

TLP250トランジスター インバーター インバーターTVのサーキット ボードは運転者のサーキット ボードを導いた トランジスター インバーター インバーターエアコンIGBTのゲートのためドライブ力MOS FETのゲート ドライブ 東芝TLP250はGaAlAsの発光ダイオードおよび統合された.........

IR2114SS半橋ゲートの運転者ICの非逆になる24-SSOP電子工学の集積回路 運転された構成 半橋 チャネル タイプ 独立した 運転者の数 2 ゲートのタイプ IGBT 電圧-供給 11.5V | 20V 論理の電圧- VIL、VIH 0.8V、2V 現在-ピーク出力（源、流し） 2A、3A ......

IRS2181STRPBF半橋ゲートの運転者IC非逆になる8-SOIC記述IRS2181/IRS21814は独立した高側および低側の参照された出力チャネルが付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を......

3-PHASE橋運転者IR2130/IR2132 （J）及び（PbF） 製品の説明 包装テープ及び巻き枠（TR） 部分の状態活動的運転された構成半橋チャネル タイプ3-Phase運転者の数6ゲートのタイプIGBT、N-Channel MOSFET電圧-供給10ボルト| 20ボルト論理の電圧- V........

ゲートの運転者EVインバーター制御;IGBT及びSiC GDIC 製品特質 属性値 選り抜き属性 製造業者: 製品カテゴリ: ゲートの運転者......

STK621-220A 電界効果トランジスタ 力モジュール十分に形成される雑種インバーター回路 SIP STK621-220A インバーター力の雑種モジュール SIP の十分に形成されたパッケージ 概観 この IC は力の要素（IGBT および FRD）、前運.........

ISO9001.pdf プロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的な聽 ECCN （米国） EAR99...

ICの集積回路ADUM4135WBRWZ SOIC-16 PMIC -力管理IC 指定 製品特質 属性値 製造業者: アナログ・デバイセズ株式会社。 製品カテゴリ: ゲートの運転者 RoHS: 細部 プロダクト: IGBTのMOS.........

産業標準パッケージ 耐久性および産業用アプリケーションのための銅ベースプレート付きのIGBTモジュール KWG600H12N4B IGBT 特性 - 短尾の流れ -10μs 短回路電流 - 低ターンオフ損失 - 陽性温度係数 • スピードと柔らかいフリーホイールダイオード逆回収 • 工業用標準パッ.......

IGBT用のゲートドライブトランスフォーマー 高周波トランスフォーマー 現代の変頻駆動 (VFD) では,周波数変換のためにインバーター段階でIGBTが使用される.対応するゲートドライバー回路は,切り替えに必要な電力を供給する必要がある.中高電源のアプリケーションでは,DC/DC変換器が通常この........

オムロン R7D-AP02H サーボドライバ 2A 200V負荷 サーボAC 200VAC 供給 2A 200V 負荷 詳細は: メイン回路電源:単相200/230V AC (170〜253V) 50/60 Hz (三相200/230V ACは750Wモデルで使用可能) 制御方法: 全デジ.........