15A 1200V インバーター IGBT ショート回路 耐久時間 10μS モータードライバー Nチャネル強化モード パワー IGBT LGT15N120B 特徴 • トレンチとフィールドストップ技術 • コレクターからエミッターへの低飽和電圧 • 短回路は10μsに耐える • 高耐.........
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NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBTモジュールの運転者回路の三相インバーター ブレーキ26-DIPが付いている自動車IGBTモジュールNXH50C120L2C2ES1G三相インバーター NXH50C120L2C2ES1Gの製品の説明 NXH50C120L2C2E.........
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TLP250トランジスター インバーター インバーターTVのサーキット ボードは運転者のサーキット ボードを導いた トランジスター インバーター インバーターエアコンIGBTのゲートのためドライブ力MOS FETのゲート ドライブ 東芝TLP250はGaAlAsの発光ダイオードおよび統合された.........
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IR2114SS半橋ゲートの運転者ICの非逆になる24-SSOP電子工学の集積回路 運転された構成 半橋 チャネル タイプ 独立した 運転者の数 2 ゲートのタイプ IGBT 電圧-供給 11.5V | 20V 論理の電圧- VIL、VIH 0.8V、2V 現在-ピーク出力(源、流し) 2A、3A ......
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IRS2181STRPBF半橋ゲートの運転者IC非逆になる8-SOIC記述IRS2181/IRS21814は独立した高側および低側の参照された出力チャネルが付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を......
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3-PHASE橋運転者IR2130/IR2132 (J)及び(PbF) 製品の説明 包装テープ及び巻き枠(TR) 部分の状態活動的運転された構成半橋チャネル タイプ3-Phase運転者の数6ゲートのタイプIGBT、N-Channel MOSFET電圧-供給10ボルト| 20ボルト論理の電圧- V........
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高速電源MOSFETとIGBTドライバ 3相高圧ゲートドライバ 記述 JY213Hは,3つの独立した高低サイド参照を持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバーです 3相ゲートドライバの出力チャネル. UVLO回路は,VCCとVBSが指定された値を下回るときに不具.........
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SKM400GB176Dの堀IGBTモジュールACインバーターは速い細部が原産地風力1700V 430Amperesの概観を運転する:イタリアの銘柄:元の新しいブランドの型式番号:SKM400GB176Dのタイプ:適用:インバーター/コンバーターのパッケージのタイプ:ピーク反復的な逆電圧:100......
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記述: JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバです.半ブリッジの故障を防止する内蔵デッドタイム保護とショットスルー保護UVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ.600V高電圧プロ........
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RODUCTの記述 S2-10511B-Z160K IGBTモジュールの運転者回路P036RH06の正常な温度 S2-10511B-Z160K 製品名 P036RH06 D/c New&Original...
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SN74AHC1G04DCKRの集積回路 緩衝運転者を逆にする5.5VへのICの破片インバーター単一2VはSC-70-5を包む SN74AHC1G04DCKR 論理のタイプ インバーター.........
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ABBは板AGBB-01C 68242835ゲートの運転者BRANC ACS800インバーター モジュールを誘発する 記述 プロダクトID: 68242843 カタログの記述: AGBB-01C;ゲートの運転者BRANC AGBB-01C プロダクト純重量: 0.15 kg 技術情報: ......
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用途: (1) 主に普通の炭素鋼,合金鋼,鋳鋼,鋳鉄,非鉄銅,アルミニウム,合金などを溶かすために使用されます. (2) 効率が良く,生産性が速く,操作が便利という利点があります. (3) 新しい電源は,連続共鳴出力を持つ電圧型インバーターです. (4) インバーター部品は先進的なIGBTトラン........
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S2-10511B-Z160K 製品名 P036RH06 D/c New&Original 保証 180日 実用温度 正常な温度 包装 標準的な輸出...
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ゲートの運転者EVインバーター制御;IGBT及びSiC GDIC 製品特質 属性値 選り抜き属性 製造業者: 製品カテゴリ: ゲートの運転者......
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STK621-220A 電界効果トランジスタ 力モジュール十分に形成される雑種インバーター回路 SIP STK621-220A インバーター力の雑種モジュール SIP の十分に形成されたパッケージ 概観 この IC は力の要素(IGBT および FRD)、前運.........
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ISO9001.pdf プロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的な聽 ECCN (米国) EAR99...
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VFD 変数周波数駆動 IGBT 駆動制御 安定性設計 ベクトル周波数インバーター ベクトル周波数インバーター 製品説明 インテリジェント IGBT モジュールの熱保護設計 組み込みダイナミック・ジャンクション温度モデル,モニター リアルタイムで IGBT 接続温度 単一の短回路.........
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