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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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（最高） @ ID、VgsのRds
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1.21mOhm @ 50A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3.5V @ 190µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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75 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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+20V、-16V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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4960 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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4.3W （Ta）、136.4W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-HPSOF
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターFDBL9406-F085T6力MOSFET
•強い設計および低いオン抵抗
•175°C接合部温度
•低いゲート充満
•なだれの険しい技術
•速い切換え
•ゲートの境界の電圧のためにテストされる100%
•オン抵抗のためにテストされる100%
•迎合的なRoHS
•自由なハロゲン
•200Vは下水管源の絶縁破壊電圧を評価した
•低いゲートのインピーダンス
•速いボディ ダイオード
•ESDは保護した
•低い出力キャパシタンス
•二重N-Channel
•高い発電および現在の処理容量
