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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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3Ohm @ 500mA、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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1.6V @ 250µA
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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27 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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350mW （Ta）
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実用温度
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150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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SOT-23
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BSS 138はTO-236-3パッケージでN-channelの強化モード電界効果トランジスタ（FET）収容したである。それは低電圧、低い現在の転換の適用のためにとりわけ設計されている。装置は超低いオン抵抗、速い転換の時および簡単なドライブ条件を特色にする。それは消費者、産業、コミュニケーションおよび自動車市場で移る切換えおよびレベルのような適用にとって理想的である。
このFETは40ボルトの最高の下水管源の絶縁破壊電圧および200mAの最高の連続的な下水管の流れとの優秀な熱および電気特徴を、提供する。この装置はまた150°C.の1.8ボルトそして最高の接合部温度の低いゲートの境界の電圧を特色にする。BSS 138は迎合的なRoHSでありそれを無鉛適用のために適したようにする。
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