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3 年
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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1.2V、4.5V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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40mOhm @ 3A、4.5V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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800mV @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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15 NC @ 4.5ボルト
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Vgs （最高）
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±8V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1157 pF @ 6ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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700mW （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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6-WDFN （2x2）
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パッケージ/場合
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NTLJS 2103 PTBGは一般目的および高速転換の適用の信頼でき、有効な力転換を提供するように設計されている高性能枯渇モード強化モード力MOSFETである。それに低いオン抵抗、低いゲート充満および低いキャパシタンスがあり、よりよい出力効率およびより速い切り替え速度を可能にする。
NTLJS 2103 PTBGは6で利用でき-熱抵抗を減らし、電力損失を最小にするように設計されているWDFNのパッケージ、よりよい冷却の性能を可能にする。それはまたRoHS迎合的で、それを高温適用のために適したようにする150まで°Cの最高使用可能温度がある。この装置は操作が可能20ボルトまでであり、それを高圧適用のために最適にする。さらに、それは低い境界の電圧および広い電圧範囲を特色にし、設計のより大きい柔軟性を可能にする。
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