最新の価格を尋ねる
正会員
3 年
Add to Cart
NTMS 4177 PR2G 8- SOIC MOSFETのパワー エレクトロニクス モジュールのP-Channel 30 V 11.4のA
|
流出させなさいに源の電圧（Vdss）
|
||
|
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
|
||
|
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
|
4.5V、10V
|
|
|
（最高） @ ID、VgsのRds
|
12mOhm @ 11.4A、10V
|
|
|
Vgs （（最高） Th） @ ID
|
2.5V @ 250µA
|
|
|
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
|
55 NC @ 10ボルト
|
|
|
Vgs （最高）
|
±20V
|
|
|
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
|
3100 pF @ 24ボルト
|
|
|
FETの特徴
|
-
|
|
|
電力損失（最高）
|
840mW （Ta）
|
|
|
実用温度
|
-55°C | 150°C （TJ）
|
|
|
タイプの取付け
|
||
|
製造者装置パッケージ
|
8-SOIC
|
|
|
パッケージ/場合
|
プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターNTMS4177PR2GのN-Channel MOSFETのパワー エレクトロニクス
プロダクト変数:
•パッケージ:8-SOIC
•下水管源の電圧:40V
•現在を流出させなさい:34A
•（最高） @ ID、VgsのRds:4.1 mOhm @ 34A、10V
•ゲート充満（Qg） @ Vgs:15.9nC @ 10V
•パワー最高:5.6W
•実用温度:-55°C | 150°C （TJ）
•タイプの取付け:表面の台紙
