FDBL86062-F085 MOSFET力電子工学8-PowerSFNのパッケージの高度の超低いゲート充満技術 FETのタイプ N-Channel 技術 MOSFET （金属酸化物）流出させなさいに源の電圧（Vdss） 100ボルト現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C 300A （Tc...

製品詳細図 →

商品のタグ：

igt電源モジュール 100a 600v パワーIGBTデータシートパワーモジュール igbt

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

show pictures

プログラム可能なICの破片

集積回路ICの破片

MCUのマイクロ制御回路単位

電子部品ICの破片

フラッシュ・メモリの破片

MOSFETのパワー エレクトロニクス

IGBT力モジュール

ICのダイオードのトランジスター

FDBL86062-F085 MOSFETのパワー エレクトロニクス8-PowerSFNのパッケージの高度の超低いゲート充満技術

MOSFETのパワーエレクトロニクス

FDBL86062-F085 MOSFETのパワーエレクトロニクス8-PowerSFNのパッケージの高度の超低いゲート充満技術