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3 年
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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2mOhm @ 80A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4.5V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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124 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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6970 pF @ 50ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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429W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-HPSOF
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パッケージ/場合
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FDBL 86062 - F085はインフィニオン・テクノロジーズからの炭化ケイ素（SiC） MOSFETのパワー エレクトロニクス モジュールである。この8モーター ドライブ、太陽インバーターおよび電源のような力転換の適用の広い範囲に低損失の、高性能の解決を、提供するように- PowerSFNモジュールは設計されている。装置は175°Cの7.5 NCの8A、総ゲート充満、最高の作動の接合部温度および最高の650ボルトの下水管源の電圧の評価される流れを特色にする。装置はまた迎合的なRoHSであり、ESDは保護した。モジュールは強いパッケージと優秀な熱性能および改善された信頼性を提供するために造られる。それは強力な適用のための信頼できる、費用効果が大きい解決である。
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