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NTGS 4141 NT1G MOSFETのパワー エレクトロニクスのトランジスター力の単一のN-Channel TSOP-6 30 V 7.0 A
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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25mOhm @ 7A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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12 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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560 pF @ 24ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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500mW （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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6-TSOP
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターNTGS4141NT1GのMOSFETのパワー エレクトロニクス、TSOP-6パッケージ
オン・セミコンダクターNTGS4141NT1GはTSOP-6パッケージのMOSFETのパワー エレクトロニクス装置である。それは30Vの下水管源の電圧および2.3 mOhmの下水管源のオン抵抗を特色にする。それは切換え、力管理および信号処理を含むさまざまな適用の使用のために適している。それにまた150°C.の最高使用可能温度がある。
