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1G MOSFETのパワー エレクトロニクス前のNTMFS 5C460
抵抗スイッチ モード供給の8-PowerTDFN高い発電の効率の低速
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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4.5mOhm @ 35A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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2V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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23 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1300 pF @ 20ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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3.6W （Ta）、50W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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5-DFN （5x6） （8-SOFL）
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パッケージ/場合
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NTMFS5C460NLT1Gはオン・セミコンダクターが製造したN-channel MOSFETのパワー エレクトロニクス装置である。広い応用範囲の高い現在の切換えおよび力管理解決を提供することを設計する。装置は控えめの提供し、スペース強いられた適用にとって理想的である8-PowerTDFNパッケージで収納される。その高度の加工技術は高性能、減らされた電源切れおよび改善された全体的なシステム パフォーマンスのための速く転換および低いオン抵抗を提供する。
NTMFS5C460NLT1Gは静電放電（ESD）に対して保護を提供し、装置の信頼性を改善する内部ESDの保護ダイオードを特色にする。その共通のソース構成および低い境界の電圧それをshifting転換、レベルのために適したようにし、信号処理の適用を。
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