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ICのダイオードのトランジスター

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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シティ：shenzhen

国/地域：china

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IRFP3206PBF MOSFETのパワーエレクトロニクス高圧高い現在の低い抵抗

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型式番号 :IRFP3206PBF

原産地 :原物

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :999999

受渡し時間 :1-3幾日

包装の細部 :標準

流出させなさいに源の電圧（Vdss） :60ボルト

現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :120A （Tc）

ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :10V

（最高） @ ID、VgsのRds :3mOhm @ 75A、10V

Vgs （（最高） Th） @ ID :4V @ 150µA

ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs :170 NC @ 10ボルト

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IRFP3206PBF MOSFETのパワーエレクトロニクスの高圧高い現在の低い抵抗

IRFP3206PBF MOSFETのN-Channel、200V、69A、55mOhm

製品の説明:

IRFP3206PBF MOSFETは高い発電の転換の適用の使用のために設計されている非常に能率的なN-Channel MOSFETである。この装置は69Aの200V下水管源の電圧評価そして最高の下水管の流れを提供する。それはまた55mOhmの低いオン抵抗を提供する。このMOSFETは高い発電の切換えを要求するいろいろな適用のために適している。

特徴:

- N-Channel MOSFET
- 下水管源の電圧:200V
- 最高の下水管の流れ:69A
- オン抵抗:55mOhm
- 高性能
- 広い応用範囲

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