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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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プログラム可能なICの破片 (706)
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2N7002K-T1-GE3高性能NチャネルMOSFETのパワー エレクトロニクスの解決
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2N7002K-T1-GE3高性能NチャネルMOSFETのパワー エレクトロニクスの解決
製品の詳細
2N7002 KT 1- GE3の高性能 NチャネルMOSFETのパワー エレクトロニクスの解決 製品の説明: 2N7002K-T1-GE3は低電圧、高速転換の適用のために設計されているN-Channelの強化モードMOSFETである。このMOSFETは低いオン州の抵抗、速く切り替え速度および最も高...
製品詳細図 →
商品のタグ：
igbtゲート電圧
igt 1200v
igt 600v
