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ICのダイオードのトランジスター

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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シティ：shenzhen

国/地域：china

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2N7002K-T1-GE3高性能NチャネルMOSFETのパワーエレクトロニクスの解決

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型式番号 :2N7002K-T1-GE3

原産地 :原物

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :999999

受渡し時間 :1 - 3日

包装の細部 :標準

流出させなさいに源の電圧（Vdss） :60ボルト

現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :300mA （Ta）

ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :4.5V、10V

（最高） @ ID、VgsのRds :2Ohm @ 500mA、10V

Vgs （（最高） Th） @ ID :2.5V @ 250µA

ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs :0.6 NC @ 4.5ボルト

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2N7002 KT 1- GE3の高性能

NチャネルMOSFETのパワーエレクトロニクスの解決

製品の説明:

2N7002K-T1-GE3は低電圧、高速転換の適用のために設計されているN-Channelの強化モードMOSFETである。このMOSFETは低いオン州の抵抗、速く切り替え速度および最も高いピークの現在の機能を特色にする。

製品の機能:

- N-Channelの強化モード
- 低いオン州の抵抗
- 高速切換え
- 低い入力キャパシタンス
- 最も高いピークの現在の機能
- 最高の電圧評価:30V
- 最高の現在の評価:200mA
- 最高の電力損失:500mW
- 実用温度範囲:-55°Cへの+150°C

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