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3 年
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IRF1407STRLPBF MOSFETのパワー エレクトロニクスの良質の低い電力の消滅の優秀な転換の性能
製品の機能:
•低いオン抵抗
•最も高いピークの現在の機能
•低いゲート充満
•高い絶縁破壊電圧
•低い入出力キャパシタンス
•速い切り替え速度
•超低い境界の電圧
•迎合的なRoHS
•AEC-Q101は修飾した
技術仕様:
•トランジスター タイプ:MOSFET
•源の電圧（Vds）に流出させなさい:60V
•源の電圧（Vgs）へのゲート:±20V
•流れ（ID）を流出させなさい:6A
•連続的な下水管の流れ（ID）:2.5A
•オン抵抗（Rdson）:0.07 Ω
•電力損失（Pd）:4.2W
•実用温度:-55°Cへの150°C
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