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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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プログラム可能なICの破片 (706)
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MOSFET Power Electronics
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抵抗のMOSFETのパワー エレクトロニクスSQ2319ADS-T1-BE3の高性能の低速
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抵抗のMOSFETのパワー エレクトロニクスSQ2319ADS-T1-BE3の高性能の低速
製品の詳細
MOSFETのパワー エレクトロニクス 抵抗のSQ2319ADS-T1-BE3高性能の低速 特徴: •N-Channelの強化モードMOSFET •低いオン抵抗RDS （） •低いゲートの境界の電圧 •高速切換え •迎合的なRoHS 適用: •電池の管理システム •自動車適用 •自動車周波数変換装置 ...
製品詳細図 →
商品のタグ：
高電流IGBT
1n5400ダイオードスペック
高電圧IGBT
