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MOSFETのパワー エレクトロニクス
抵抗のSQ2319ADS-T1-BE3高性能の低速
特徴:
•N-Channelの強化モードMOSFET
•低いオン抵抗RDS （）
•低いゲートの境界の電圧
•高速切換え
•迎合的なRoHS
適用:
•電池の管理システム
•自動車適用
•自動車周波数変換装置
•転換の電源
•運動制御の適用
変数:
•下水管源の電圧:-20Vへの-200V
•現在を流出させなさい:-23A （Tc=25℃）
•ゲート源の電圧:-2.0Vへの-20V
•下水管源のオン抵抗:18mΩ （VGS=-10V）
•最高の電力損失:2.3W （Tc=25℃）
•実用温度:-55℃への+150℃
•保管温度:-55℃への+150℃
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