3つはケイ素のエピタキシアル ウエファーの基質の厚さ381±25µm/抵抗<0.018Ωcm Epi厚さ20-25μmを層にする

3つはケイ素のエピタキシアル ウエファーの基質の厚さ381±25µm/抵抗<0.018Ωcm Epi厚さ20-25μmを層にする

ケイ素のエピタキシアル ウエファーは単結晶のシリコンの薄片（ノートに沈殿する単結晶のケイ素の層である:それは非常に単独で添加された結晶のシリコンの薄片の上に多結晶のケイ素の層の層を育てることは利用できるがバルクSiの基質および上のエピタキシアル層の間の緩衝層を（酸化物か多Siのような）必要とする）

エピタキシアル層は精密な添加の集中に基質の結晶の構造を続けている間沈殿すると同時に、添加することができる。

Epilayerの抵抗:<1オームcm 150までオームcm

Epilayerの厚さ:< 1 um 150までum

構造:N/N+、N-/N/N+、N/P/N+、N/N+/P-、N/P/P+、P/P+、P-/P/P+。

ウエファーの塗布:、力線形、デジタルMOSのBiCMOS装置。

私達の利点一目で

1. 高度のエピタクシーの成長装置および試験装置。

2. 低い欠陥密度およびよい表面の粗さとの良質を提供しなさい。

3. 私達の顧客のための強い調査チームサポートそして技術サポート

PAM-XIAMENのエピタキシアル ウエファー サービス指定:

•直径:50mm、75mm、100mm、125mm、150mm

•ウエファーのオリエンテーション:<100>、<111>、<110>

•EPIの厚さ:4μmから150μm

•添加物:ヒ素、リン、ほう素

•典型的な抵抗の範囲

•0.05 – 1,200オームcm

•3000 – 5,000オームcm （本質的な層）

3つはケイ素のエピタキシアル ウエファーの基質の厚さ381の± 25µm/抵抗<0.018Ωcm、Epi厚さ20 - 25μm/抵抗7.5 - 10Ωcmを層にする

ケイ素のエピタキシアル ウエファーは何であるか。

ケイ素のepiのウエファーは最初におよそ1966年開発され、1980年代初期までに商業受諾を達成した。[モノクリスタル ケイ素または他のウエファーのエピタキシアル層を育てるための5つの]方法は下記のものを含んでいる:さまざまなタイプの大気圧CVD （APCVD）または金属の有機性化学気相堆積（MOCVD）として分類される化学気相堆積（CVD）、また分子線エピタキシャル成長法（MBE）。基質からエピタキシアル層を分けるための2つの「kerfless」方法は（研摩の鋸引きなしで） 「インプラント裂く」「圧力離昇」の呼ばれ。epi-layerおよび基質が同じ材料のとき適当な方法は意図されていたepiの層の厚さの精密な深さで水晶不純物原子および生じる機械圧力の薄層を沈殿させるためにイオン・インプランテーションを用いる。引き起こされた集中させた圧力は次の開裂のステップのひび伝播に管理された道を提供する。[7]適当なひび伝播を援助するために乾燥した圧力の離昇プロセスでepi-layerおよび基質が適切に異なった材料のとき、管理されたひびはepiの層と基質間の熱拡張の外的な機械力または用具のための必要なしで不適当な組み合わせに、よる熱圧力によるepi/ウエファー インターフェイスの温度変化によって全く運転される。このプロセスが磨き、10回まで基質の多数の再使用を可能にするポストの離昇のための必要性を減らす単一の原子平らな開裂をもたらすことが報告された

シリコンの薄片を捜しているか。

PAM-XIAMENは私達がずっとほぼ30年間それをしているように、半導体ウエハーのためのあなたの主力の場所、シリコンの薄片を含んでである!詳細を私達が提供する、そしていかにについての学ぶために私達に照会を私達があなたの次のプロジェクトとの助けてもいいウエファー送りなさい。私達のグループのチームは技術サポートを与えることができる。sales@powerwaywafer.comかpowerwaymaterial@gmail.comで私達に電子メールを送りなさい

限られるシアムンPowerwayの先端材料Co.は（PAM-XIAMEN）化合物半導体材料の統合の半導体の結晶成長、プロセス開発およびエピタクシーのためのハイテクな企業であり、そこにである2主要な分野化合物半導体のウエファーの研究そして生産を専門にする:SiC&GaNの文書（SiCのウエファーおよびエピタクシー、GaNのウエファーおよびepiのウエファー）およびIII-V材料（III-Vの基質およびepiサービス:INPウエファー、GaSbのウエファー、GaAsのウエファー、InAsのウエファーおよびInSbのウエファー）。私達のウエファーはLEDの半導体の照明、無線コミュニケーション、太陽エネルギー、赤外線装置、レーザーの探知器で広く利用されて、半導体力装置は、力装置、高温装置および光電装置を含んで、そこに、小型/マイクロLED、パワー エレクトロニクスおよびマイクロウェーブRFのためSiのGaNを含むGaNのウエファー、SiCのGaNおよびサファイアのGaNである。

一流の専門の会社として、私達は絶えず既存のプロダクトの質を改善することに努力している。PAM-XIAMENに大学院生で、医者構成される、強い技術的なR & Dのチームがマスターあり、強いR & Dの強さがある。会社の技術的な背骨は30yearsのための物質的な準備でおよび関連装置の設計および開発ほとんど従事して、材料、物質的な準備プロセスの身体検査の、化学および電気特性の詳細な研究がある。理論的な沈殿の多くの年および科学的な、科学技術の人員の実践経験の蓄積は関連した材料および装置の開発で会社の製品性能および装置の設計機構がユーザーの実際の技術的な、科学技術の必要性を満たすことを保障している間会社を持っている独特な洞察力および独特な利点を作る。