6インチCZの熱酸化物の厚さ1umの主な等級6"が付いている主なシリコンの薄片

6インチCZの熱酸化物の厚さ1umの主な等級6"が付いている主なシリコンの薄片
6"への2"からのPAM-XIAMENの提供の二酸化ケイ素のウエファー（シリコンの薄片の熱酸化物（SiO2）の）サイズは誘電材料として1200°CのMEMS （マイクロ電子機械システム）装置で。統合される基質のSiO2薄膜の層まで850°Cから起こって主に使用され、もっと最近、現在シリコンの薄片のケイ素酸化物の層を作り出す単純な方法は酸素が付いているケイ素を酸化させることである。通常、熱酸化はシリコンの薄片の両方の表面でなされる。1つのただ側面を酸化させて得るためには、保護は使用される、そして反対側はBHFで分解する。熱酸化が25から50のウエファーの操業なされ、分解がウエファーによってウエファーになされると同時に;二重および単一の側面のケイ素酸化物のウエファーは同じバッチで購入することができる。
 
 
次の指定はあなたの参照のためである:
•20nmからの300 nmへの乾燥したSiO2薄膜
•50 nmの2までµmからのぬれた熱酸化物
•荒さ3オングストローム以下RMS
必要な量:>= 25のウエファー。
 
 
6inch CZの熱酸化物の厚さ1umの主な等級6"が付いている主なシリコンの薄片

 
1. 熱酸化物かシリコンの薄片にいかに適用されるか。
規則的に3つの細部の塗布がある:
1/Grown乾燥した酸化-デフォルトで乾燥した酸化物はウエファーのちょうど1つの側面で育つ。
育つ2/Wet酸化-波は技術を導き、シリコン・オン・インシュレータのウエファー（SOI）は私達の厚い熱酸化物の層から非常に寄与できる。私達は厚さの15umまで熱酸化物を提供する。ウエファーの両側でデフォルトで育てられる。
3/Deposited CVD -ケイ素を酸化できない時あなたの基質の上に酸化物を沈殿させるのに化学気相堆積を使用できる。
2. ケイ素に熱酸化物を育てる目的は何であるか。
5主な目的の下にある:ゲートの酸化物;添加の間の覆う材料;コンダクターに保護を提供すること;互いからの隔離集団装置;コンデンサーのための誘電体
 
3. 酸化物の成長に影響を与える要因は何であるか。
次の要因がある:乾燥した酸化（酸素のガス）またはぬれた酸化蒸気を使用して;圧力;温度;格子オリエンテーション（酸化物は（111の）方向づけられたウエファーのそして（100つの）方向づけられたシリコンの薄片でより速く育つ;
 
4. ペーパーの相対的なキーワード:ぬれた酸化、乾燥した酸化、熱酸化物、熱酸化物の計算機、熱酸化物の厚さ、熱酸化物のウエファー、熱酸化物の特性、熱酸化物の成長、熱酸化物の炉、熱酸化物の比誘電率、熱酸化物の成長の計算機、シリコンの薄片の熱酸化物、熱酸化物のウエファー、熱酸化物siのウエファー、ケイ素の熱酸化、シリコンの薄片、熱酸化計算機、熱酸化単位の熱酸化
 
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