4インチCZの1基の側面に放出させることCr/Auの主なシリコンの薄片は層にする厚さ30nm/10nm 4"を

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PAM-XIAMENはCZの製造業者であり、FZのシリコンの薄片、私達は今高く純粋なシリコンの薄片のための世界的な源、熱酸化物のケイ素およびepiのウエファーになる。シリコンの薄片は集積回路、探知器/センサー装置、MEMSの製作、光電子工学の部品および太陽電池のために使用され、コンピュータ、可動装置、センサーおよび他の電子工学に最終的に適用する。豊富な経験によって、PAM-XIAMENはあなたの条件を理解し、あなたが適した質および最も低く可能な価格によって必要とするケイ素 プロダクトを丁度提供できる。PAM-XIAMENは『12"への1'からの直径が付いているあなたのdemands.PAMシアムンの提供の半導体のシリコンの薄片に『（25.4 mm）会う標準的で、カスタマイズされたシリコンの薄片を提供できる（300のmm）。私達はどちらかのCz （Czochralski）またはFZ （浮遊物の地帯）のシリコンの薄片を働かせる。磨くプロセスはまた標準に従って半なされる（半導体装置および材料の国際規格）。私達はまたシリコンの薄片の超薄いウエファー、ケイ素酸化物のウエファーSiO2の薄膜、窒化珪素のウエファーSi3N4の薄膜、薄膜の沈殿およびメタライゼーションを働かせる。

4inch CZの1基の側面に放出させることCr/Auの主なシリコンの薄片は層にする厚さ30nm/10nm 4"を

シリコンの薄片は何であるか。

シリコンの薄片は共通の半導体であり、ケイ素の純度を変えるために集積回路の主要部分である添加物の成長プロセス計画的な付加の間の電子および技術セクターの広く利用されたのにそれの目的がであるものによる、ほう素、アルミニウム、窒素、ガリウム加えることができ、インジウムは共通のケイ素の添加物である。どんなによってレベルをケイ素が添加されたか、半導体は非本質的か退化と考慮することができる。退化の半導体が製作の間にそれの添加のハイ レベルのためにコンダクターとしてもっと起こる機能する一方非本質的適度に添加されるに軽くありなさい。

シリコンの薄片を捜しているか。

PAM-XIAMENは私達がずっとほぼ30年間それをしているように、半導体ウエハーのためのあなたの主力の場所、シリコンの薄片を含んでである!詳細を私達が提供する、そしていかにについての学ぶために私達に照会を私達があなたの次のプロジェクトとの助けてもいいウエファー送りなさい。私達のグループのチームは技術サポートを与えることができる。sales@powerwaywafer.comかpowerwaymaterial@gmail.comで私達に電子メールを送りなさい

限られるシアムンPowerwayの先端材料Co.は（PAM-XIAMEN）化合物半導体材料の統合の半導体の結晶成長、プロセス開発およびエピタクシーのためのハイテクな企業であり、そこにである2主要な分野化合物半導体のウエファーの研究そして生産を専門にする:SiC&GaNの文書（SiCのウエファーおよびエピタクシー、GaNのウエファーおよびepiのウエファー）およびIII-V材料（III-Vの基質およびepiサービス:INPウエファー、GaSbのウエファー、GaAsのウエファー、InAsのウエファーおよびInSbのウエファー）。私達のウエファーはLEDの半導体の照明、無線コミュニケーション、太陽エネルギー、赤外線装置、レーザーの探知器で広く利用されて、半導体力装置は、力装置、高温装置および光電装置を含んで、そこに、小型/マイクロLED、パワー エレクトロニクスおよびマイクロウェーブRFのためSiのGaNを含むGaNのウエファー、SiCのGaNおよびサファイアのGaNである。

一流の専門の会社として、私達は絶えず既存のプロダクトの質を改善することに努力している。PAM-XIAMENに大学院生で、医者構成される、強い技術的なR & Dのチームがマスターあり、強いR & Dの強さがある。会社の技術的な背骨は30yearsのための物質的な準備でおよび関連装置の設計および開発ほとんど従事して、材料、物質的な準備プロセスの身体検査の、化学および電気特性の詳細な研究がある。理論的な沈殿の多くの年および科学的な、科学技術の人員の実践経験の蓄積は関連した材料および装置の開発で会社の製品性能および装置の設計機構がユーザーの実際の技術的な、科学技術の必要性を満たすことを保障している間会社を持っている独特な洞察力および独特な利点を作る。