2インチのシリコンの薄片FZ Nのタイプ リンは添加したオリエンテーション111の主な等級2"を
Brand Name:PAM-XIAMEN
Minimum Order Quantity:1-10,000pcs
Delivery Time:5-50 working days
Payment Terms:T/T
Place of Origin:China
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Xiamen Fujian China
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#506BのHenghuiの繁華街、No.77のLingxiaナンの道、ハイテクの地帯、Huli、シアムン361006、中国
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製品詳細
会社概要
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2インチのシリコンの薄片FZ Nのタイプ リンは添加したオリエンテーション111の主な等級2"を
PAM-XIAMENはCZの製造業者であり、FZのシリコンの薄片、私達は今高く純粋なシリコンの薄片のための世界的な源、熱酸化物のケイ素およびepiのウエファーになる。シリコンの薄片は集積回路、探知器/センサー装置、MEMSの製作、光電子工学の部品および太陽電池のために使用され、コンピュータ、可動装置、センサーおよび他の電子工学に最終的に適用する。豊富な経験によって、PAM-XIAMENはあなたの条件を理解し、あなたが適した質および最も低く可能な価格によって必要とするケイ素
プロダクトを丁度提供できる。PAM-XIAMENは『12"への1'からの直径が付いているあなたのdemands.PAMシアムンの提供の半導体のシリコンの薄片に『（25.4
mm）会う標準的で、カスタマイズされたシリコンの薄片を提供できる（300のmm）。私達はどちらかのCz
（Czochralski）またはFZ
（浮遊物の地帯）のシリコンの薄片を働かせる。磨くプロセスはまた標準に従って半なされる（半導体装置および材料の国際規格）。私達はまたシリコンの薄片の超薄いウエファー、ケイ素酸化物のウエファーSiO2の薄膜、窒化珪素のウエファーSi3N4の薄膜、薄膜の沈殿およびメタライゼーションを働かせる。
2inchシリコンの薄片FZ Nのタイプ リンは添加したオリエンテーション111の主な等級2"を
| タイプ | 伝導のタイプ | オリエンテーション | 直径（mm） | 抵抗（Ω•cm） |
| 抗力が高い | N&P | <100>&<111> | 50 - 300 | >1000 |
| NTD | N | <100>&<111> | 50 - 300 | 30-800 |
| CFZ | N&P | <100>&<111> | 50 - 300 | 1-50 |
| GD | N&P | <100>&<111> | 50 - 300 | 0.001-300 |
| 変数 | 単位 | 価値 |
| 結晶の構造 | - | モノクリスタル |
| 成長の技術 | - | FZ |
| 水晶オリエンテーション | - | 111 |
| 導電率のタイプ | - | N |
| 添加物 | - | P/As/Sb |
| 直径 | mm | 50 |
| 抵抗 | Ω/cm2 | >1000、30-800、1-50、0.001-300 |
| 厚さ | um | 350±15um 230±15um 380±25um |
| TTV | um | ≤15 um |
| 弓 | um | ≤40 um |
| ゆがみ | um | ≤40 um |
| （G）混乱 | um | 顧客の標準 |
| 場所の平坦混乱 | um | 顧客の標準 |
| 端の除外ゾーン | mm | 半STDか顧客の要求 |
| LPD | - | ≥0.3μm、<30countまたは顧客の要求 |
| 酸素濃度 | ppma | <1E16/cc |
| カーボン集中 | ppma | <1E16/cc |
| RRG | - | ≤15% |
| 前部表面 | - | 磨かれる |
| 背部表面 | - | 磨かれるか、またはエッチングされる |
| 端の表面状態 | 半STDか顧客の要求 | |
| 第一次平らな長さ | mm | 半STD |
| 第一次平らなオリエンテーション（100/111）及び角度（°） | 半STD | |
| 二次平らな長さ | mm | 半STD |
| 二次平らなオリエンテーション（100/111）及び角度（°） | 半STD | |
| レーザーの印 | - | 半STDか顧客の要求 |
| 包装 | クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる、 ヒート シールされたプラスチック内部/アルミ ホイル外袋、 真空のパッキング | |
| 条件は顧客によって特定なら、それに応じて調節する | ||
シリコンの薄片は何であるか。
シリコンの薄片は共通の半導体であり、ケイ素の純度を変えるために集積回路の主要部分である添加物の成長プロセス計画的な付加の間の電子および技術セクターの広く利用されたのにそれの目的がであるものによる、ほう素、アルミニウム、窒素、ガリウム加えることができ、インジウムは共通のケイ素の添加物である。どんなによってレベルをケイ素が添加されたか、半導体は非本質的か退化と考慮することができる。退化の半導体が製作の間にそれの添加のハイ
レベルのためにコンダクターとしてもっと起こる機能する一方非本質的適度に添加されるに軽くありなさい。
PAM-XIAMENは技術を提供でき、ウエファー
サポートは、より多くの情報のために、私達のウェブサイトを訪問する:https://www.powerwaywafer.com、
sales@powerwaywafer.comおよびpowerwaymaterial@gmail.comで私達に電子メールを送りなさい
質は私達の最優先である。PAM-XIAMENはずっとISO9001である:2008年は、私達の顧客の異なった必要性を満たすために修飾されたプロダクトの大きい範囲をかなり提供できるあらゆる順序は私達の厳密な品質システムを通して扱われなければならない4現代facoriesを所有し、共有し。テスト
レポートは各郵送物に提供され、各ウエファーは保証である。1990年の前に、私達は示された所有された凝縮させた問題の物理学の研究所である。1990年に、中心はシアムンPowerwayの先端材料Co.、株式会社（PAM-XIAMEN）、今それをである中国の化合物半導体材料の一流の製造業者進水させた。
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