シリコンの薄片Cz、Mczの高抵抗およびよい寿命の浮遊物地帯

シリコンの薄片Cz、Mczの高抵抗およびよい寿命の浮遊物地帯

製品の説明

単結晶（GE）のゲルマニウムのウエファー

PAMXIAMENoffers半導体材料、VGF/LECによって育つGE （ゲルマニウム）の単結晶およびウエファー

ゲルマニウムのウエファーの概要の特性

ゲルマニウムのウエファーの等級そして適用

ゲルマニウムの水晶およびウエファーの標準的なSpecs

特別なサイズおよびオリエンテーションは要求されたウエファーに利用できる

ゲルマニウムのウエファーの指定

ゲルマニウムのウエファー プロセス

ゲルマニウムのウエファーの工程では、残余の処理からのゲルマニウムの二酸化物は塩素処理および加水分解のステップで更に浄化される。

1）高い純度のゲルマニウムは地帯の精錬の間に得られる。

2）ゲルマニウムの水晶はCzochralskiプロセスによって作り出される。

3）ゲルマニウムのウエファーはステップを切り、ひき、そしてエッチングする複数によって製造される。

4）ウエファーは点検きれいになり。このプロセスの間に、ウエファーは磨かれた単一の側面であるまたは注文条件に従って磨かれる二重側面はepi準備ができたウエファー来る。

5）ウエファーは窒素の大気の下の単一のウエファーの容器で、詰まる。

適用:

ゲルマニウムのブランクか窓は商業保証、消火活動および産業モニター装置のために夜間視界およびthermographicイメージ投射解決で使用される。また、それらは遠隔温度の測定のために分析的な、測定装置、窓、およびレーザーのためにミラーのためにフィルターとして使用される。

薄いゲルマニウムの基質はIII-Vの三重接続点の太陽電池でそして力によって集中されるPV （CPV）システムのために使用される。

限られるシアムンPowerwayの先端材料Co.は（PAM-XIAMEN）化合物半導体材料の統合の半導体の結晶成長、プロセス開発およびエピタクシーのためのハイテクな企業であり、そこにである2主要な分野化合物半導体のウエファーの研究そして生産を専門にする:SiC&GaNの文書（SiCのウエファーおよびエピタクシー、GaNのウエファーおよびepiのウエファー）およびIII-V材料（III-Vの基質およびepiサービス:INPウエファー、GaSbのウエファー、GaAsのウエファー、InAsのウエファーおよびInSbのウエファー）。私達のウエファーはLEDの半導体の照明、無線コミュニケーション、太陽エネルギー、赤外線装置、レーザーの探知器で広く利用されて、半導体力装置は、力装置、高温装置および光電装置を含んで、そこに、小型/マイクロLED、パワー エレクトロニクスおよびマイクロウェーブRFのためSiのGaNを含むGaNのウエファー、SiCのGaNおよびサファイアのGaNである。

一流の専門の会社として、私達は絶えず既存のプロダクトの質を改善することに努力している。PAM-XIAMENに大学院生で、医者構成される、強い技術的なR & Dのチームがマスターあり、強いR & Dの強さがある。会社の技術的な背骨は30yearsのための物質的な準備でおよび関連装置の設計および開発ほとんど従事して、材料、物質的な準備プロセスの身体検査の、化学および電気特性の詳細な研究がある。理論的な沈殿の多くの年および科学的な、科学技術の人員の実践経験の蓄積は関連した材料および装置の開発で会社の製品性能および装置の設計機構がユーザーの実際の技術的な、科学技術の必要性を満たすことを保障している間会社を持っている独特な洞察力および独特な利点を作る。