赤外線探知器に、赤外線LEDsおよびレーザーおよびトランジスターおよびThermophotovoltaicシステム使用するGaSbのウエファー

赤外線探知器に、赤外線LEDsおよびレーザーおよびトランジスターおよびThermophotovoltaicシステム使用するGaSbのウエファー

製品の説明

LEC （液体によって内部に閉じ込められるCzochralski）によって別のオリエンテーション（111）のnのタイプ、pのタイプまたは半絶縁を用いるepi準備ができたか機械等級としてまたは育つPAM-XIAMENは化合物半導体のGaSbのウエファー–ガリウム アンチモン化物--を提供します（100）。

ガリウム アンチモン化物（GaSb）はIII-V家族のガリウムそしてアンチモンの半導体混合物です。それに約0.61 nmの格子定数があります。GaSbは赤外線探知器に、赤外線LEDsおよびレーザーおよびトランジスターおよびthermophotovoltaicシステム使用することができます。

4つの″のGaSbのウエファーの指定

1）2 ″ （50.8mm）、3つの″ （76.2mm）のGaSbのウエファー

オリエンテーション:（100） ±0.5°
厚さ（μm）:500±25;600±25
タイプ/添加物:P/undoped;P/Si;P/Zn
NC （cm3）:（1~2） E17
移動性（cm2/V·s）:600~700
成長方法:CZ
ポーランド語:SSP

2）2つの″ （50.8mm）のGaSbのウエファー
オリエンテーション:（100） ±0.5°
厚さ（μm）:500±25;600±25
タイプ/添加物:N/undoped;P/Te
NC （cm3）:（1~5） E17
移動性（cm2/V·s）:2500~3500
成長方法:LEC
ポーランド語:SSP

3）2つの″ （50.8mm）のGaSbのウエファー
オリエンテーション:（111） A±0.5°
厚さ（μm）:500±25
タイプ/添加物:N/Te;P/Zn
NC （cm3）:（1~5） E17
移動性（cm2/V·s）:2500~3500;200~500
成長方法:LEC
ポーランド語:SSP

4）2つの″ （50.8mm）のGaSbのウエファー
オリエンテーション:（111） B±0.5°
厚さ（μm）:500±25;450±25
タイプ/添加物:N/Te;P/Zn
NC （cm3）:（1~5） E17
移動性（cm2/V·s）:2500~3500;200~500
成長方法:LEC
ポーランド語:SSP

5）2つの″ （50.8mm）のGaSbのウエファー
オリエンテーション:（111） B 2deg.off
厚さ（μm）:500±25
タイプ/添加物:N/Te;P/Zn
NC （cm3）:（1~5） E17
移動性（cm2/V·s）:2500~3500;200~500
成長方法:LEC
ポーランド語:SSP

相対的なプロダクト:
InAsのウエファー
InSbのウエファー
INPウエファー
GaAsのウエファー
GaSbのウエファー
ギャップのウエファー

ガリウム アンチモン化物（GaSb）はようにカットの、エッチングされたか、または磨かれた終わりとウエファーとして供給することができ、キャリアの集中、直径および厚さの広い範囲で利用できます。

GaSbの文書は単一の接続点のthermophotovoltaic (TPV)装置のための興味深い特性を示します。GaSb:Czochralski (Cz)または変更されたCzo-のchralski （Mo Cz）方法と育つTeの単結晶は示され、Teの同質性の問題は論議されます。キャリア移動度がバルク水晶のための急所の1つであるので、ホールの測定は遂行されます。私達は材料加工の視点に基づいてある補足の開発をここに示します:バルク結晶成長、ウエファーの準備およびウエファーのエッチング。これらの後のそれに続くステップはp/r n/pの接続点の精密さと関連していません。異なった薄層の精密さのアプローチのために得られるある結果は示されます。従って金属の有機性化学気相堆積プロセスまでの簡単な蒸気段階の拡散液体段階のエピタクシー プロセスから私達は物質的な特定性を報告します。

限られるシアムンPowerwayの先端材料Co.は（PAM-XIAMEN）化合物半導体材料の統合の半導体の結晶成長、プロセス開発およびエピタクシーのためのハイテクな企業であり、そこにである2主要な分野化合物半導体のウエファーの研究そして生産を専門にする:SiC&GaNの文書（SiCのウエファーおよびエピタクシー、GaNのウエファーおよびepiのウエファー）およびIII-V材料（III-Vの基質およびepiサービス:INPウエファー、GaSbのウエファー、GaAsのウエファー、InAsのウエファーおよびInSbのウエファー）。私達のウエファーはLEDの半導体の照明、無線コミュニケーション、太陽エネルギー、赤外線装置、レーザーの探知器で広く利用されて、半導体力装置は、力装置、高温装置および光電装置を含んで、そこに、小型/マイクロLED、パワー エレクトロニクスおよびマイクロウェーブRFのためSiのGaNを含むGaNのウエファー、SiCのGaNおよびサファイアのGaNである。

一流の専門の会社として、私達は絶えず既存のプロダクトの質を改善することに努力している。PAM-XIAMENに大学院生で、医者構成される、強い技術的なR & Dのチームがマスターあり、強いR & Dの強さがある。会社の技術的な背骨は30yearsのための物質的な準備でおよび関連装置の設計および開発ほとんど従事して、材料、物質的な準備プロセスの身体検査の、化学および電気特性の詳細な研究がある。理論的な沈殿の多くの年および科学的な、科学技術の人員の実践経験の蓄積は関連した材料および装置の開発で会社の製品性能および装置の設計機構がユーザーの実際の技術的な、科学技術の必要性を満たすことを保障している間会社を持っている独特な洞察力および独特な利点を作る。