別の東洋のnのタイプpのタイプか半絶縁が付いているepiの準備ができたか機械等級としてLECによるインジウムのヒ化物のウエファー
Brand Name:PAM-XIAMEN
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#506BのHenghuiの繁華街、No.77のLingxiaナンの道、ハイテクの地帯、Huli、シアムン361006、中国
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別の東洋のnのタイプ、pのタイプまたは半絶縁を用いるepi準備ができたか機械等級としてLECによるインジウムのヒ化物のウエファー
Produktbeschreibung
PAM-XIAMENのbietetのINPウエファー- Indiumphosphidはals、unterschiedlicher Orientierung （111）オーデル（100）のp-Typのオーデルhalbisolierend epi準備ができたオーデルがTypen mitのn-Typをmechanischen durch LEC （液体によって内部に閉じ込められるCzochralski）オーデルVGF （縦の勾配の氷結） aufgewachsen死にます。
Indiumphosphid (InP) istのeinのbinärerのHalbleiterのausのインジウムのundの蛍光体のzusammengesetzt ist。ESの帽子のeineは（„亜鉛閃亜鉛鉱「） Kristallstruktur、undがmeisten der III-Vの半導体を死ぬidentisch mit demフォンGaAsをkubisch-flächenzentrierten。インジウムのPhosphidのkannのausのderのReaktionフォンweißem PhosphorのundのIndiumiodid [Klärungsbedarf] bei 400のhergestelltは、° C. [5]、オーシュのdurchのdirekteのKombinationのder gereinigten Elementeのbeiをhohen TemperaturのundのDruckオーデルのdurchのthermischeのZersetzungのeinesのGemischesのausのeinemのTrialkyl Indiumverbindungのund Phosphidをwerden。Hochleistungs-のundのHochfrequenzelektronik [Bearbeiten] wegenのseinerのINP wirdはBezug auf dasのblichereのHalbleiter Siliziumのund GalliumarsenidのElektronengeschwindigkeitをberlegenen。
Hier istはausfhrliche Beschreibung死にます:
2" （50,8のmm） INPウエファーSpezifikation
3" （76,2のmm）ウエファーINP指定
4" （100つのmm）ウエファーINP Specificatio
別の東洋のnのタイプpのタイプか半絶縁が付いているepiの準備ができたか機械等級としてLECによるインジウムのヒ化物のウエファー
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