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Nは、InAsのウエファー、2"、主な等級、Epiの準備ができ半導体のウエファーの製造業タイプします
PAM-XIAMENは光電子工学の適用のための高い純度の単結晶のインジウムのヒ化物のウエファーを製造します。私達の標準的なウエファーの直径は25.4 mm (1インチ)から100つのmm (6インチ)まで及びます;ウエファーは磨かれたかつや出しされていない側面とのさまざまな厚さそしてオリエンテーションで作り出し、添加物を含むことができます。PAM-XIAMENは広い範囲の等級を作り出すことができます:主な等級、機械等級、テスト等級、模造の等級、技術的な等級および光学等級。PAM-XIAMENはまた注文の構成に加えて要求によってコマーシャルおよび研究の塗布および新しい専有技術のための顧客の指定に材料を、提供します。
2" InAsのウエファーの指定
項目 | 指定 | ||
添加物 | Stannum | 硫黄 | |
伝導のタイプ | Nタイプ | Nタイプ | |
ウエファーの直径 | 2" | ||
ウエファーのオリエンテーション | (100) ±0.5° | ||
ウエファーの厚さ | 500±25um | ||
第一次平らな長さ | 16±2mm | ||
二次平らな長さ | 8±1mm | ||
キャリア集中 | (5-20) x1017cm-3 | (1-10) x1017cm-3 | |
移動性 | 7000-20000cm2/V.s | 6000-20000cm2/V.s | |
EPD | <5x10>4cm-2 | <3x10>4cm-2 | |
TTV | <10um> | ||
弓 | <10um> | ||
ゆがみ | <12um> | ||
レーザーの印 | 要望に応じて | ||
Sufaceの終わり | 、P/P P/E | ||
準備ができたEpi | はい | ||
パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
InAsのウエファーは何ですか。
インジウムのヒ化物は一種のインジウムおよびヒ素で構成されるIII-Vの化合物半導体材料です。それは室温に閃亜鉛鉱の結晶構造が付いている銀製灰色の固体です。格子定数は0.6058nmであり、密度は5.66g/cm (固体)および5.90g/cm (融点の液体)です。バンド構造は0.033mpaだけある、単結晶は大気圧の溶解から育てることができますように0.45evのバンド ギャップ(300K)の直接遷移分離圧力のであり。一般的な方法はHbおよびLECです。InAsは浄化しにくいの一種の半導体材料です。残りのキャリア集中はl × 10/cmが、室温の電子移動度3.3 × 10の^ 3cm/であるより高いです(V·s)、および正孔移動度は460cm/です(V·s)。1に近いように硫黄の有効な析出係数および、従ってそれはnタイプの添加物として縦方向のキャリア集中の配分の均等性を改善するのに使用されています。InAs産業(s)の単結晶のため、nの≥ 1の× 10/cm3のμの≤ 2.0の× 10cm/(V·s)、EPDの≤ 5の× 10/cm3。
InAsの水晶に高い電子移動度がおよび移動性の比率(μ E/μ H = 70)、低い磁石抵抗の効果および低い抵抗の温度係数があります。それはホール装置および磁石抵抗装置を製造するための理想的な材料です。InAsの放出波長はGaAs B、InAsPSbの3.34 μ M.であり、格子一致を用いるinasbの多数のエピタキシアル材料はInAsの基質で育てることができます。2-4 μ Mバンドの光ファイバー コミュニケーションのためのレーザーそして探知器は製造されたである場合もあります。
InAsのウエファーの300 Kの基本的な変数か。
結晶構造 | 亜鉛閃亜鉛鉱 |
対称のグループ | Td2-F43m |
1 cm3の原子の数 | 3.59·1022 |
de Broglieの電子波長 | 400 A |
Debyeの温度 | 280 K |
密度 | 5.68 g cm3 |
比誘電率(静的な) | 15.15 |
比誘電率(高周波) | 12.3 |
有効な電子固まり | 0.023mo |
有効な穴はmhを集中します | 0.41mo |
有効な穴はmlpを集中します | 0.026mo |
電子親和力 | 4.9 eV |
格子定数 | 6.0583 A |
光学音量子エネルギー | 0.030のeV |
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