オリエンテーション（100）の主な/機械等級INPウエファー、nのタイプ、pのタイプまたは半絶縁または（111）
原産地:中国
最低順序量:1-10,000pcs
支払の言葉:T/T
受渡し時間:10,000のウエファー/月
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Xiamen Fujian China
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#506BのHenghuiの繁華街、No.77のLingxiaナンの道、ハイテクの地帯、Huli、シアムン361006、中国
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製品詳細
会社概要
製品詳細
オリエンテーション（100）の機械等級INPウエファー、nのタイプ、pのタイプまたは半絶縁または（111）
LEC （液体によって内部に閉じ込められるCzochralski）またはVGF （縦の勾配の氷結）によって別のオリエンテーション（111）のnのタイプ、pのタイプまたは半絶縁を用いるepi準備ができたか機械等級としてまたは育つPAM-XIAMENは化合物半導体INPウエファー-リン化インジウム--を提供します（100）。
リン化インジウム(InP)はインジウムおよびリンで構成される二進半導体です。それにGaAsのそれおよびIII-Vの半導体のほとんどと同一の表面集中させた立方（「亜鉛閃亜鉛鉱」）結晶構造があります。リン化インジウムは400 °C.の黄リンおよびインジウムのヨウ素化合物[必要とされる説明]の反作用から高温および圧力の浄化された要素の直接組合せ、またはtrialkylのインジウムの混合物およびリン化物の混合物の熱分解によって、[5]また準備することができます。INPは強力な、高周波電子工学[必要とされる参照]で共通の半導体ケイ素およびガリウム砒素に関して優秀な電子速度のために使用されます。
詳細仕様はここにあります:
2" （50.8mm） INPウエファーの指定
3" （76.2mm） INPウエファーの指定
4" （100mm） INPウエファーSpecificatio
2" INPウエファーの指定
| 項目 | 指定 | |||
| 添加物 | Nタイプ | Nタイプ | Pタイプ | SIタイプ |
| 伝導のタイプ | Undoped | 硫黄 | 亜鉛 | lron |
| ウエファーの直径 | 2" | |||
| ウエファーのオリエンテーション | （100） ±0.5° | |||
| ウエファーの厚さ | 350±25um | |||
| 第一次平らな長さ | 16±2mm | |||
| 二次平らな長さ | 8±1mm | |||
| キャリア集中 | 3x1016cm-3 | （0.8-6） x1018cm-3 | （0.6-6） x1018cm-3 | N/A |
| 移動性 | （3.5-4） x103cm2/V.s | （1.5-3.5） x103cm2/V.s | 50-70x103cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗 | N/A | N/A | N/A | N/A |
| EPD | <1000cm>-2 | <500cm>-2 | <1x10>3つのcm-2 | <5x10>3つのcm-2 |
| TTV | <10um> | |||
| 弓 | <10um> | |||
| ゆがみ | <12um> | |||
| レーザーの印 | 要望に応じて | |||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | |||
| 準備ができたEpi | はい | |||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |||
3" INPウエファーの指定
| 項目 | 指定 | |||
| 添加物 | Nタイプ | Nタイプ | Pタイプ | SIタイプ |
| 伝導のタイプ | Undoped | 硫黄 | 亜鉛 | lron |
| ウエファーの直径 | 3" | |||
| ウエファーのオリエンテーション | （100） ±0.5° | |||
| ウエファーの厚さ | 600±25um | |||
| 第一次平らな長さ | 16±2mm | |||
| 二次平らな長さ | 8±1mm | |||
| キャリア集中 | ≤3x1016cm-3 | （0.8-6） x1018cm-3 | （0.6-6） x1018cm-3 | N/A |
| 移動性 | （3.5-4） x103cm2/V.s | （1.5-3.5） x103cm2/V.s | 50-70x103cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗 | N/A | N/A | N/A | N/A |
| EPD | <1000cm>-2 | <500cm>-2 | <1x10>3つのcm-2 | <5x10>3つのcm-2 |
| TTV | <12um> | |||
| 弓 | <12um> | |||
| ゆがみ | <15um> | |||
| レーザーの印 | 要望に応じて | |||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | |||
| 準備ができたEpi | はい | |||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |||
4" INPウエファーの指定
| 項目 | 指定 | |||
| 添加物 | Nタイプ | Nタイプ | Pタイプ | SIタイプ |
| 伝導のタイプ | Undoped | 硫黄 | 亜鉛 | lron |
| ウエファーの直径 | 4" | |||
| ウエファーのオリエンテーション | （100） ±0.5° | |||
| ウエファーの厚さ | 600±25um | |||
| 第一次平らな長さ | 16±2mm | |||
| 二次平らな長さ | 8±1mm | |||
| キャリア集中 | ≤3x1016cm-3 | （0.8-6） x1018cm-3 | （0.6-6） x1018cm-3 | N/A |
| 移動性 | （3.5-4） x103cm2/V.s | （1.5-3.5） x103cm2/V.s | 50-70x103cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗 | N/A | N/A | N/A | N/A |
| EPD | <1000cm>-2 | <500cm>-2 | <1x10>3つのcm-2 | <5x10>3つのcm-2 |
| TTV | <15um> | |||
| 弓 | <15um> | |||
| ゆがみ | <15um> | |||
| レーザーの印 | 要望に応じて | |||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | |||
| 準備ができたEpi | はい | |||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |||
オリエンテーション（100）の主な/機械等級INPウエファー、nのタイプ、pのタイプまたは半絶縁または（111）
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