Nは、INP （リン化インジウム）半導体ウエハー、2"、テスト等級タイプします
原産地:中国
最低順序量:1-10,000pcs
支払の言葉:T/T
供給の能力:10,000のウエファー/月
受渡し時間:5-50仕事日
包装の細部:、単一の容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる
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Xiamen Fujian China
住所：
#506BのHenghuiの繁華街、No.77のLingxiaナンの道、ハイテクの地帯、Huli、シアムン361006、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 11 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
Nは、INP （リン化インジウム）半導体ウエハー、2"、テスト等級タイプします
PAM-XIAMENは光電子工学の適用のための高い純度の単結晶のリン化インジウムのウエファーを製造します。私達の標準的なウエファーの直径は25.4 mm （1インチ）から200のmm （6インチ）まで及びます;ウエファーは磨かれたかつや出しされていない側面とのさまざまな厚さそしてオリエンテーションで作り出し、添加物を含むことができます。PAM-XIAMENは広い範囲の等級を作り出すことができます:主な等級、テスト等級、模造の等級、技術的な等級および光学等級。PAM-XIAMENはまた注文の構成に加えて要求によってコマーシャルおよび研究の塗布および新しい専有技術のための顧客の指定に材料を、提供します。
Nは、INPウエファー、2"、テスト等級タイプします
| 2" INPウエファーの指定 | ||||
| 項目 | 指定 | |||
| 伝導のタイプ | Nタイプ | Nタイプ | ||
| 添加物 | Undoped | 硫黄 | ||
| ウエファーの直径 | 2" | |||
| ウエファーのオリエンテーション | 100±0.5° | |||
| ウエファーの厚さ | 350±25um | |||
| 第一次平らな長さ | 16±2mm | |||
| 二次平らな長さ | 8±1mm | |||
| キャリア集中 | ≤3x1016cm-3 | （0.8-6） x1018cm-3 | （0.6-6） x1018cm-3 | N/A |
| 移動性 | （3.5-4） x103cm2/V.s | （1.5-3.5） x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗 | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ωcm |
| EPD | <1000cm>-2 | <500cm>-2 | <1x10>3cm-2 | <5x10>3cm-2 |
| TTV | <10um> | |||
| 弓 | <10um> | |||
| ゆがみ | <12um> | |||
| レーザーの印 | 要望に応じて | |||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | |||
| 準備ができたEpi | はい | |||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |||
INPウエファーは何ですか。
リン化インジウムはGaAsおよびケイ素に半導体の物質的な類似していますが、多く隙間商品です。それは非常に高速処理の開発で非常に有効で、原料を集め、開発することはすばらしい長さのためにGaAsより高いです。INPウエファーに関係するように私達をリン化インジウムについてのもう少しの事実を見てみることを許可して下さい。
組み変え変数
| 純粋なnタイプ材料（| 10-14cm-3） | |
| 穴の最も長い寿命 | τp | 3·10-6 s |
| 拡散距離LP = （Dp·τp） 1/2 | LP | 40 µm。 |
| 純粋なpタイプ材料（po | 1015cm-3） | |
| （a）低い注入のレベル | |
| 電子の最も長い寿命 | τn | 2·10-9 s |
| 拡散距離Ln = （Dn·τn） 1/2 | Ln | 8 µm |
| （b）高い注入のレベル（満たされたトラップ） | |
| 電子の最も長い寿命 | τ | 10-8 s |
| 拡散距離Ln | Ln | 25 µm |
| 表面の組み変え速度対各金属のリン化物ΔHRの原子1個あたりの反作用の熱 （Rosenwaksの の等 [1990年]）。 |
表面のフェルミ レベルEFSがmidgap （の近くでEFS |例えば/2）ピンで止められれば表面の組み変え速度は~5から増加します·レベルno~3を添加するための10-3cm/s·レベルを添加するための1015 cm3から~106 cm/s | 3·1018cm-3 （Bothraの の等 [1991年]）。
| 放射組み変え係数（K） 300 | 1.2·10-10 cm3/s |
| オーガー係数（K） 300 | ~9·10-31 cm6/s |
使用
INPは強力な、高周波電子工学[必要とされる参照]で共通の半導体ケイ素およびガリウム砒素に関して優秀な電子速度のために使用されます。
インジウムのガリウム砒素と記録破りのpseudomorphicヘテロ接合に604のGHzで作動できる両極トランジスターをすることを使用しました。
それにまたそれを半導体レーザーのような光電子工学装置のために有用にさせる直接bandgapがあります。会社Infineraは光学テレコミュニケーション工業のために波長分割の多重型になる適用を可能にするために光通信の集積回路を製造するために主要な科学技術材料としてリン化インジウムを、使用します。
INPはまたエピタキシアル インジウムのガリウム砒素基づいた光電子工学装置のために基質として使用されます。
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Nは、INP （リン化インジウム）半導体ウエハー、2"、テスト等級タイプします
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