Nのタイプ、INP （リン化インジウム）基質、3"、主な等級-化合物半導体

Nは、INP基質、3"、主な等級タイプします

LEC （液体によって内部に閉じ込められるCzochralski）またはVGF （縦の勾配の氷結）によって別のオリエンテーション（111）のnのタイプ、pのタイプまたは半絶縁を用いるepi準備ができたか機械等級としてまたは育つPAM-XIAMENはINPウエファー–リン化インジウム--を提供します（100）。

リン化インジウム(InP)はインジウムおよびリンで構成される二進半導体です。それにGaAsのそれおよびIII-Vの半導体のほとんどと同一の表面集中させた立方（「亜鉛閃亜鉛鉱」）結晶構造があります。リン化インジウムは400 °C.の黄リンおよびインジウムのヨウ素化合物[必要とされる説明]の反作用から高温および圧力の浄化された要素の直接組合せ、またはtrialkylのインジウムの混合物およびリン化物の混合物の熱分解によって、[5]また準備することができます。INPは強力な、高周波電子工学[必要とされる参照]で共通の半導体ケイ素およびガリウム砒素に関して優秀な電子速度のために使用されます。

Nは、INP基質、3"、主な等級タイプします

テスト ウエファーは何ですか。

ほとんどのテスト ウエファーは主な指定から落ちたウエファーです。テスト ウエファーがマラソン、上限R & Dのための試験装置を動かすのに使用され。それらは頻繁にウエファーの発動を促す費用効果が大きい代わりです。

300のKの電子ドリフト移動度の近くの温度の弱く添加されたn INPのため:

µn = （4.2÷5.4）·103·（300/T） （cm2V-1 s-1）

電子ホール移動性のためのおおよその方式

Μ=ΜOH/[1+ （Nd/107） 1/2]、
ΜOH=5000 cm2V-1 s-1ところ、
cm3 （のNd- Hilsum [1974年]）

300 K、n INPの電子ホールの要因rn≈1。
のためNd > 1015 cm3。

300 Kの近くの温度の弱く添加されたp INPのためホール移動性

µpH~150·（300/T） 2.2 （cm2V-1 s-1）。

300 K、純粋なp INPの穴の要因:rp~1

光電子工学の適用

INPはレーザーを基づかせ、LEDsは12 µmまで1200 nmの非常に広い範囲のライトを出すことができます。このライトはデジタル化された世界のすべての区域で繊維によって基づく電気通信およびデータ通信の適用のために使用されます。ライトはまた適用を感じるために使用されます。一方では例えば非常に薄くされたガスを検出するためにある特定の波長が問題と相互に作用するように必要の分光適用があります。光電子工学のterahertzは超高感度の分光検光子、ポリマーのそして自動車産業の多層コーティングの検出のための厚さの測定で使用されます。一方ではそれらが目の金庫であるので特定のINPレーザーの巨大な利点があります。放射は人間の目のガラス質ボディで吸収され、網膜に害を与えることができません。LiDARのINPレーザーは（軽い検出および及ぶこと）未来およびオートメーション工業の移動性のための主要部分です。

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