のINP (リン化インジウム)水晶ウエファー、3"半絶縁、模造の等級

原産地:中国
最低順序量:1-10,000pcs
支払の言葉:T/T
供給の能力:10,000のウエファー/月
受渡し時間:5-50仕事日
包装の細部:、単一の容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる
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Xiamen Fujian China
住所: #506BのHenghuiの繁華街、No.77のLingxiaナンの道、ハイテクの地帯、Huli、シアムン361006、中国
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製品詳細 会社概要
製品詳細

のINP (リン化インジウム)水晶ウエファー、3"半絶縁、模造の等級

 

LEC (液体によって内部に閉じ込められるCzochralski)またはVGF (縦の勾配の氷結)によって別のオリエンテーション(111)のnのタイプ、pのタイプまたは半絶縁を用いるepi準備ができたか機械等級としてまたは育つPAM-XIAMENはINPウエファー–リン化インジウム--を提供します(100)。

リン化インジウム(InP)はインジウムおよびリンで構成される二進半導体です。それにGaAsのそれおよびIII-Vの半導体のほとんどと同一の表面集中させた立方(「亜鉛閃亜鉛鉱」)結晶構造があります。リン化インジウムは400 °C.の黄リンおよびインジウムのヨウ素化合物[必要とされる説明]の反作用から高温および圧力の浄化された要素の直接組合せ、またはtrialkylのインジウムの混合物およびリン化物の混合物の熱分解によって、[5]また準備することができます。INPは強力な、高周波電子工学[必要とされる参照]で共通の半導体ケイ素およびガリウム砒素に関して優秀な電子速度のために使用されます。

 

、INPウエファー半絶縁します、3"、模造の等級

3" INPウエファーの指定   
項目指定
伝導のタイプSIタイプ
添加物
ウエファーの直径3"
ウエファーのオリエンテーション100±0.5°
ウエファーの厚さ600±25um
第一次平らな長さ16±2mm
二次平らな長さ8±1mm
キャリア集中≤3x1016cm-3(0.8-6) x1018cm-3(0.6-6) x1018cm-3N/A
移動性(3.5-4) x103cm2/V.s(1.5-3.5) x103cm2/V.s50-70cm2/V.s>1000cm2/V.s
抵抗N/AN/AN/A>0.5x107Ω.cm
EPD<1000cm>-2<500cm>-2<1x10>3cm-2<5x10>3cm-2
TTV<12um>
<12um>
ゆがみ<15um>
レーザーの印要望に応じて
Sufaceの終わり、P/P P/E
準備ができたEpiはい
パッケージ単一のウエファー容器かカセット

INPプロセスは何ですか。

INPウエファーは装置製作前に準備されなければなりません。始まるためには、それらはスライス プロセスの間に起こるかもしれない損傷を取除くように完全にきれいにならなければなりません。ウエファーはそれから最終的で物質的な取り外しの段階のための化学的に機械的に(CMP)磨かれましたり/Plaranrized。これは原子スケールの残りの荒さの超平らで鏡のような表面の達成を可能にします。後それは、ウエファー製作の準備ができています完了します。

基本的な変数

故障分野≈5·105ボルトcm-1
移動性の電子≤5400 cm2V-1s-1
移動性の穴≤200 cm2 V-1s-1の
拡散係数の電子≤130 cm2 s-1の
拡散係数の穴≤5 cm2 s-1の
電子上昇温暖気流の速度3.9·105のm s-1
穴の上昇温暖気流の速度1.7·105のm s-1

電気通信/データ通信の適用

それが直接bandgap III-Vの化合物半導体材料であるのでリン化インジウム(InP)が普通テレコミュニケーション、すなわち、1550のnmの波長に使用する波長の窓の有効なレーザー、敏感なフォトディテクターおよび変調器を作り出すのに使用されています。約1510 nmと1600 nm間の波長に光ファイバー(約0.26 dB/km)で利用できる最も低い減少があります。INPは電子的形態に戻ってレーザー信号および検出の生成およびそれらの信号の転換のための一般的な材料です。ウエファーの直径は2-4インチから及びます。

 

適用は次のとおりです:

•遠距離上の長距離貨物輸送の光ファイバー関係5000までのkm普通>10 Tbit/s

•地下鉄リング アクセス ネットワーク

•会社ネットワークおよびデータ センタ

•家への繊維

•無線3G、LTEおよび5G基地局への関係

•自由空間の衛星通信

 

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のINP (リン化インジウム)水晶ウエファー、3"半絶縁、模造の等級

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