GaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスのための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいる

GaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスのための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいます

製品の説明

（GaAs）ガリウム砒素のウエファー

PWAMは化合物半導体基質ガリウム ヒ化物の水晶およびウエファーを開発し、製造します。私達は高度の結晶成長の技術、縦の勾配の氷結（VGF）およびGaAsのウエファーの加工技術使用し、結晶成長、磨く処理にひく切断からの生産ラインを確立し、そしてウエファーのクリーニングおよび包装のための100クラスのクリーン ルームを造りました。私達のGaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスの適用のための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいます。私達は小国家の質を現在改善し、大型の基質を開発するために常に捧げられます。

（LEDの塗布のためのGaAs）ガリウム砒素のウエファー

（LDの適用のためのGaAs）ガリウム砒素のウエファー

（マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁するGaAs）ガリウム砒素のウエファー

マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁する6つの″ （150mm） （GaAs）のガリウム砒素のウエファー

2つの″ （50.8mm）のLt GaAs （低い温度育てられたGaliumのヒ化物）ウエファーの指定

（GaAs）ガリウム砒素のウエファー

PWAMは化合物半導体基質ガリウム ヒ化物の水晶およびウエファーを開発し、製造します。私達は高度の結晶成長の技術、縦の勾配の氷結（VGF）およびGaAsのウエファーの加工技術使用し、結晶成長、磨く処理にひく切断からの生産ラインを確立し、そしてウエファーのクリーニングおよび包装のための100クラスのクリーン ルームを造りました。私達のGaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスの適用のための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいます。私達は小国家の質を現在改善し、大型の基質を開発するために常に捧げられます。

（LEDの塗布のためのGaAs）ガリウム砒素のウエファー

（LDの適用のためのGaAs）ガリウム砒素のウエファー

（マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁するGaAs）ガリウム砒素のウエファー

マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁する6つの″ （150mm） （GaAs）のガリウム砒素のウエファー

2つの″ （50.8mm）のLt GaAs （低い温度育てられたGaliumのヒ化物）ウエファーの指定

限られるシアムンPowerwayの先端材料Co.は（PAM-XIAMEN）化合物半導体材料の統合の半導体の結晶成長、プロセス開発およびエピタクシーのためのハイテクな企業であり、そこにである2主要な分野化合物半導体のウエファーの研究そして生産を専門にする:SiC&GaNの文書（SiCのウエファーおよびエピタクシー、GaNのウエファーおよびepiのウエファー）およびIII-V材料（III-Vの基質およびepiサービス:INPウエファー、GaSbのウエファー、GaAsのウエファー、InAsのウエファーおよびInSbのウエファー）。私達のウエファーはLEDの半導体の照明、無線コミュニケーション、太陽エネルギー、赤外線装置、レーザーの探知器で広く利用されて、半導体力装置は、力装置、高温装置および光電装置を含んで、そこに、小型/マイクロLED、パワー エレクトロニクスおよびマイクロウェーブRFのためSiのGaNを含むGaNのウエファー、SiCのGaNおよびサファイアのGaNである。

一流の専門の会社として、私達は絶えず既存のプロダクトの質を改善することに努力している。PAM-XIAMENに大学院生で、医者構成される、強い技術的なR & Dのチームがマスターあり、強いR & Dの強さがある。会社の技術的な背骨は30yearsのための物質的な準備でおよび関連装置の設計および開発ほとんど従事して、材料、物質的な準備プロセスの身体検査の、化学および電気特性の詳細な研究がある。理論的な沈殿の多くの年および科学的な、科学技術の人員の実践経験の蓄積は関連した材料および装置の開発で会社の製品性能および装置の設計機構がユーザーの実際の技術的な、科学技術の必要性を満たすことを保障している間会社を持っている独特な洞察力および独特な利点を作る。