Nのタイプは、GaAs （ガリウム砒素）の基質、3"を、模造の等級Si添加した
Brand Name:PAM-XIAMEN
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Place of Origin:China
Supply Ability:10,000 wafers/month
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Xiamen Fujian China
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#506BのHenghuiの繁華街、No.77のLingxiaナンの道、ハイテクの地帯、Huli、シアムン361006、中国
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製品詳細
会社概要
製品詳細
Nは、GaAsの基質、3"、模造の等級タイプします
PAM-XIAMENは化合物半導体基質ガリウム ヒ化物の水晶およびウエファーを開発し、製造します。私達は高度の結晶成長の技術、縦の勾配の氷結（VGF）および（GaAs）ガリウム砒素のウエファーの加工技術を使用しました。必須の電気特性はケイ素または亜鉛のような添加物を加えることによって得られます。結果はnタイプかpタイプの抗力が高い（>10^7 ohm.cm）または低抵抗（<10 - 2 ohm.cm）の半導体です。ウエファーの表面は一般にepi準備ができています（極端に低い汚染）すなわち質エピタキシアル プロセスの直接使用のために適しています。
（LEDの塗布のためのGaAs）ガリウム砒素のウエファー
| 項目 | 指定 | |
| 伝導のタイプ | SC/nタイプ | |
| 成長方法 | VGF | |
| 添加物 | ケイ素 | |
| ウエファーDiamter | 3、インチ | |
| 水晶オリエンテーション | （100） 2°/6°/15°を離れた（110） | |
| の | EJか米国 | |
| キャリア集中 | （0.4~2.5） E18/cm3
| |
| RTの抵抗 | （1.5~9） E-3 Ohm.cm | |
| 移動性 | 1500~3000cm2/V.sec
| |
| 腐食ピット密度 | <5000/cm2 | |
| レーザーの印 | 要望に応じて
| |
| 表面の終わり | P/EまたはP/P
| |
| 厚さ | 220~450um
| |
| 準備ができたエピタクシー | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |
（LDの適用のためのGaAs）ガリウム砒素のウエファー
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 伝導のタイプ | SC/nタイプ | |
| 成長方法 | VGF | |
| 添加物 | ケイ素 | |
| ウエファーDiamter | 3、インチ | インゴットかようにカットの利用できる |
| 水晶オリエンテーション | （100） 2°/6°/15°off （110） | 利用できる他のmisorientation |
| の | EJか米国 | |
| キャリア集中 | （0.4~2.5） E18/cm3 | |
| RTの抵抗 | （1.5~9） E-3 Ohm.cm | |
| 移動性 | 1500~3000のcm2/V.sec | |
| 腐食ピット密度 | <500/cm2 | |
| レーザーの印 | 要望に応じて | |
| 表面の終わり | P/EまたはP/P | |
| 厚さ | 220~350um | |
| 準備ができたエピタクシー | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |
GaAsの水晶の特性
| 特性 | GaAs | |
| Atoms/cm3 | 4.42 x 1022 | |
| 原子量 | 144.63 | |
| 故障分野 | およそ4 x 105 | |
| 結晶構造 | Zincblende | |
| 密度（g/cm3） | 5.32 | |
| 比誘電率 | 13.1 | |
| 伝導帯、NC （cm-3）の州の有効な密度 | 4.7 x 1017 | |
| 原子価バンドの州、Nv （cm-3）の有効な密度 | 7.0 x 1018 | |
| 電子親和力（v） | 4.07 | |
| 300K （eV）のエネルギー ギャップ | 1.424 | |
| 本質的なキャリア集中（cm-3） | 1.79 x 106 | |
| 本質的なデバイの長さ（ミクロン） | 2250 | |
| 本質的な抵抗（オームcm） | 108 | |
| 格子定数（オングストローム） | 5.6533 | |
| 線形熱膨張率、 | 6.86 x 10-6 | |
| ΔL/L/ΔT （1のdeg C） | ||
| 融点（deg C） | 1238 | |
| 少数キャリアの寿命（s） | およそ10-8 | |
| 移動性（漂流） | 8500 | |
| （/V-s cm2の） | ||
| µnの電子 | ||
| 移動性（漂流） | 400 | |
| （/V-s cm2の） | ||
| µpの穴 | ||
| 光学音量子エネルギー(eV) | 0.035 | |
| 音量子の平均自由行程（オングストローム） | 58 | |
| 比熱 | 0.35 | |
| （J/g deg C） | ||
| 300 Kの熱伝導性 | 0.46 | |
| （W/cm-degC） | ||
| 温度伝導率（cm2/秒） | 0.24 | |
| 蒸気圧(Pa) | 1050のdeg Cの100; | |
| 900のdeg Cの1 |
| 波長 | 索引 |
| （µm） | |
| 2.6 | 3.3239 |
| 2.8 | 3.3204 |
| 3 | 3.3169 |
| 3.2 | 3.3149 |
| 3.4 | 3.3129 |
| 3.6 | 3.3109 |
| 3.8 | 3.3089 |
| 4 | 3.3069 |
| 4.2 | 3.3057 |
| 4.4 | 3.3045 |
| 4.6 | 3.3034 |
| 4.8 | 3.3022 |
| 5 | 3.301 |
| 5.2 | 3.3001 |
| 5.4 | 3.2991 |
| 5.6 | 3.2982 |
| 5.8 | 3.2972 |
| 6 | 3.2963 |
| 6.2 | 3.2955 |
| 6.4 | 3.2947 |
| 6.6 | 3.2939 |
| 6.8 | 3.2931 |
| 7 | 3.2923 |
| 7.2 | 3.2914 |
| 7.4 | 3.2905 |
| 7.6 | 3.2896 |
| 7.8 | 3.2887 |
| 8 | 3.2878 |
| 8.2 | 3.2868 |
| 8.4 | 3.2859 |
| 8.6 | 3.2849 |
| 8.8 | 3.284 |
| 9 | 3.283 |
| 9.2 | 3.2818 |
| 9.4 | 3.2806 |
| 9.6 | 3.2794 |
| 9.8 | 3.2782 |
| 10 | 3.277 |
| 10.2 | 3.2761 |
| 10.4 | 3.2752 |
| 10.6 | 3.2743 |
| 10.8 | 3.2734 |
| 11 | 3.2725 |
| 11.2 | 3.2713 |
| 11.4 | 3.2701 |
| 11.6 | 3.269 |
| 11.8 | 3.2678 |
| 12 | 3.2666 |
| 12.2 | 3.2651 |
| 12.4 | 3.2635 |
| 12.6 | 3.262 |
| 12.8 | 3.2604 |
| 13 | 3.2589 |
| 13.2 | 3.2573 |
| 13.4 | 3.2557 |
| 13.6 | 3.2541 |
GaAsのウエファーは何ですか。
ガリウム砒素(GaAs)は要素ガリウムおよびヒ素の混合物です。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接バンド ギャップの半導体です。
GaAsのウエファーは重要なsemiconducor材料です。それはIII-Vの化合物半導体を分けるために属します。それは1237の℃の5.65x 10 10m、融点および1.4 EVのバンド ギャップの格子定数の閃亜鉛鉱のタイプ格子構造です。ガリウム砒素は集積回路の基質、赤外線探知器、γの光子の探知器、等を作るのに使用することができる3つ以上の一桁によって半抵抗の抗力が高い材料をケイ素およびゲルマニウムより高く絶縁することに作ることができます。電子移動度は5-6時間を計る大きいよりであるのでケイ素のそれ、マイクロウェーブ装置およびずっと高速デジタル回路で広く利用されています。GaAsから成っている半導体デバイスに高周波の、高温および低温の、低雑音および強い放射抵抗の利点があります。さらにバルク効果装置を作るのに、またそれが使用することができます。
GaAsのウエファーの光学的性質は何ですか。
| 赤外線r.i. | 3.3 |
| 放射組み変え係数 | 7·10-10 cm3/s |
赤外線r.i.
n = k1/2 = 3.255·（1 + 4.5·10-5T）
300のKのn= 3.299のため
音量子エネルギーへのずっと波
hνTO = 33.81·（1 - 5.5·10-5 T） （MEV）
300のKのhνTOのため= 33.2 MEV
ずっと波LOの音量子エネルギー
hνLO= 36.57·（1 - 4·10-5 T） （MEV）
300のKのhνLOのため= 36.1 MEV
| R.i. n対高純度GaAsのための光子エネルギー。（no~5·1013 cm3）。 固体カーブは円が屈折の測定から得られる279 K. Darkの2ビーム反射率測定から推論されます。軽い円はKramers-Kronigの分析から計算されます | |
| 正常な発生反射力対光子エネルギー。 。 | |
| 異なった温度のための本質的な吸収端の近くの本質的な吸収係数。 |
基底状態のRydbergエネルギーRX1= 4.2 MEV
| 別の添加の297 Kの本質的な吸収端は水平になります。nタイプの添加 | |
| 別の添加の297 Kの本質的な吸収端は水平になります。pタイプの添加 | |
| 吸収係数対本質的な端からの25 eVへの光子エネルギー。 | |
| 自由なキャリアの吸収対異なった添加のレベル、296 Kの波長 伝導の電子集中は次のとおりです: 1. 1.3·1017cm-3;2. 4.9·1017cm-3;3. 1018cm-3;4. 5.4·1018cm-3 | |
| 自由なキャリアの吸収対異なった温度の波長。 = 4.9無し·1017cm-3 温度は次のとおりです:1. 100 K;2. 297 K;3. 443 K。 |
300 K
λ~2 µm α =6のため·10-18 （非cm-1） （cm-1で）
λのため> 4µmおよび1017<no<1018cm-3α ≈ 7.5·10-20no·λ3 （非cm-1）
（cm3で、λ - µm）
GaAsの基質を捜していますか。
PAM-XIAMENはすべての異なった種類のプロジェクトのためのリン化インジウムの基質を提供して自慢しています。GaAsのウエファーを捜したら、学ぶために私達に照会をあなたがあなたの次のプロジェクトのために必要とするGaAsのウエファーを得るために私達がいかにについてのあなたと働いてもいいか詳細を今日送って下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!
Nのタイプは、GaAs （ガリウム砒素）の基質、3"を、模造の等級Si添加した
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