Nのタイプは、GaAs (ガリウム砒素)の基質、3"を、模造の等級Si添加した

Brand Name:PAM-XIAMEN
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Place of Origin:China
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Xiamen Fujian China
住所: #506BのHenghuiの繁華街、No.77のLingxiaナンの道、ハイテクの地帯、Huli、シアムン361006、中国
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製品詳細 会社概要
製品詳細

Nは、GaAsの基質、3"、模造の等級タイプします

 

PAM-XIAMENは化合物半導体基質ガリウム ヒ化物の水晶およびウエファーを開発し、製造します。私達は高度の結晶成長の技術、縦の勾配の氷結(VGF)および(GaAs)ガリウム砒素のウエファーの加工技術を使用しました。必須の電気特性はケイ素または亜鉛のような添加物を加えることによって得られます。結果はnタイプかpタイプの抗力が高い(>10^7 ohm.cm)または低抵抗(<10 - 2 ohm.cm)の半導体です。ウエファーの表面は一般にepi準備ができています(極端に低い汚染)すなわち質エピタキシアル プロセスの直接使用のために適しています。

 

(LEDの塗布のためのGaAs)ガリウム砒素のウエファー

項目指定 
伝導のタイプSC/nタイプ
成長方法VGF
添加物ケイ素
ウエファーDiamter3、インチ
水晶オリエンテーション(100) 2°/6°/15°を離れた(110)
EJか米国
キャリア集中

(0.4~2.5) E18/cm3

 

RTの抵抗(1.5~9) E-3 Ohm.cm
移動性

1500~3000cm2/V.sec

 

腐食ピット密度<5000/cm2
レーザーの印

要望に応じて

 

表面の終わり

P/EまたはP/P

 

厚さ

220~450um

 

準備ができたエピタクシーはい
パッケージ単一のウエファー容器かカセット

 

 

(LDの適用のためのGaAs)ガリウム砒素のウエファー

 

項目指定注目
伝導のタイプSC/nタイプ 
成長方法VGF 
添加物ケイ素 
ウエファーDiamter3、インチインゴットかようにカットの利用できる
水晶オリエンテーション(100) 2°/6°/15°off (110)利用できる他のmisorientation
EJか米国 
キャリア集中(0.4~2.5) E18/cm3 
RTの抵抗(1.5~9) E-3 Ohm.cm 
移動性1500~3000のcm2/V.sec 
腐食ピット密度<500/cm2 
レーザーの印要望に応じて 
表面の終わりP/EまたはP/P 
厚さ220~350um 
準備ができたエピタクシーはい 
パッケージ単一のウエファー容器かカセット

GaAsの水晶の特性

特性GaAs 
Atoms/cm34.42 x 1022 
原子量144.63 
故障分野およそ4 x 105 
結晶構造Zincblende 
密度(g/cm3)5.32 
比誘電率13.1 
伝導帯、NC (cm-3)の州の有効な密度4.7 x 1017 
原子価バンドの州、Nv (cm-3)の有効な密度7.0 x 1018 
電子親和力(v)4.07 
300K (eV)のエネルギー ギャップ1.424 
本質的なキャリア集中(cm-31.79 x 106 
本質的なデバイの長さ(ミクロン)2250 
本質的な抵抗(オームcm)108 
格子定数(オングストローム)5.6533 
線形熱膨張率、6.86 x 10-6 
ΔL/L/ΔT (1のdeg C) 
融点(deg C)1238 
少数キャリアの寿命(s)およそ10-8 
移動性(漂流)8500 
(/V-s cm2の) 
µnの電子 
移動性(漂流)400 
(/V-s cm2の) 
µpの穴 
光学音量子エネルギー(eV)0.035 
音量子の平均自由行程(オングストローム)58 
 
比熱0.35 
(J/g deg C) 
300 Kの熱伝導性0.46 
(W/cm-degC) 
温度伝導率(cm2/秒)0.24 
蒸気圧(Pa)1050のdeg Cの100; 
900のdeg Cの1 

 

 
波長索引
(µm)
2.63.3239
2.83.3204
33.3169
3.23.3149
3.43.3129
3.63.3109
3.83.3089
43.3069
4.23.3057
4.43.3045
4.63.3034
4.83.3022
53.301
5.23.3001
5.43.2991
5.63.2982
5.83.2972
63.2963
6.23.2955
6.43.2947
6.63.2939
6.83.2931
73.2923
7.23.2914
7.43.2905
7.63.2896
7.83.2887
83.2878
8.23.2868
8.43.2859
8.63.2849
8.83.284
93.283
9.23.2818
9.43.2806
9.63.2794
9.83.2782
103.277
10.23.2761
10.43.2752
10.63.2743
10.83.2734
113.2725
11.23.2713
11.43.2701
11.63.269
11.83.2678
123.2666
12.23.2651
12.43.2635
12.63.262
12.83.2604
133.2589
13.23.2573
13.43.2557
13.63.2541

 

GaAsのウエファーは何ですか。

ガリウム砒素(GaAs)は要素ガリウムおよびヒ素の混合物です。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接バンド ギャップの半導体です。

GaAsのウエファーは重要なsemiconducor材料です。それはIII-Vの化合物半導体を分けるために属します。それは1237の℃の5.65x 10 10m、融点および1.4 EVのバンド ギャップの格子定数の閃亜鉛鉱のタイプ格子構造です。ガリウム砒素は集積回路の基質、赤外線探知器、γの光子の探知器、等を作るのに使用することができる3つ以上の一桁によって半抵抗の抗力が高い材料をケイ素およびゲルマニウムより高く絶縁することに作ることができます。電子移動度は5-6時間を計る大きいよりであるのでケイ素のそれ、マイクロウェーブ装置およびずっと高速デジタル回路で広く利用されています。GaAsから成っている半導体デバイスに高周波の、高温および低温の、低雑音および強い放射抵抗の利点があります。さらにバルク効果装置を作るのに、またそれが使用することができます。

 

GaAsのウエファーの光学的性質は何ですか。

赤外線r.i.3.3
放射組み変え係数7·10-10 cm3/s

赤外線r.i.

n = k1/2 = 3.255·(1 + 4.5·10-5T)
300のKのn= 3.299のため

音量子エネルギーへのずっと波

hνTO = 33.81·(1 - 5.5·10-5 T) (MEV)
300のKのhνTOのため= 33.2 MEV

ずっと波LOの音量子エネルギー

hνLO= 36.57·(1 - 4·10-5 T) (MEV)
300のKのhνLOのため= 36.1 MEV

 

R.i. n対高純度GaAsのための光子エネルギー。(no~5·1013 cm3)。
固体カーブは円が屈折の測定から得られる279 K. Darkの2ビーム反射率測定から推論されます。軽い円はKramers-Kronigの分析から計算されます
 
正常な発生反射力対光子エネルギー。
異なった温度のための本質的な吸収端の近くの本質的な吸収係数。
 

基底状態のRydbergエネルギーRX1= 4.2 MEV

別の添加の297 Kの本質的な吸収端は水平になります。nタイプの添加
 
別の添加の297 Kの本質的な吸収端は水平になります。pタイプの添加
 
吸収係数対本質的な端からの25 eVへの光子エネルギー。
 
自由なキャリアの吸収対異なった添加のレベル、296 Kの波長
伝導の電子集中は次のとおりです:
1. 1.3·1017cm-3;2. 4.9·1017cm-3;3. 1018cm-3;4. 5.4·1018cm-3
自由なキャリアの吸収対異なった温度の波長。
= 4.9無し·1017cm-3
温度は次のとおりです:1. 100 K;2. 297 K;3. 443 K。

300 K

λ~2 µm α =6のため·10-18 (非cm-1) (cm-1で)
λのため> 4µmおよび1017<no<1018cm-3α ≈ 7.5·10-20no·λ3 (非cm-1) (cm3で、λ - µm)

 

GaAsの基質を捜していますか。

PAM-XIAMENはすべての異なった種類のプロジェクトのためのリン化インジウムの基質を提供して自慢しています。GaAsのウエファーを捜したら、学ぶために私達に照会をあなたがあなたの次のプロジェクトのために必要とするGaAsのウエファーを得るために私達がいかにについてのあなたと働いてもいいか詳細を今日送って下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!

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Nのタイプは、GaAs (ガリウム砒素)の基質、3"を、模造の等級Si添加した

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