4H NのタイプSiCのウエファー材料、模造の等級、10mm x 10m

4H NのタイプSiCのウエファー、模造の等級、10mm x 10mm

PAM-XIAMENは電子および光電子工学の企業に良質の単結晶SiC （炭化ケイ素）のウエファーを提供します。SiCのウエファーは高温および高い発電装置塗布のための次世代の半導体のmaterialwithの独特な電気特性そして優秀な熱特性です。SiCのウエファーは直径で2~6インチNタイプ、窒素および半絶縁のタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができます。

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炭化ケイ素の物質的な特性

4H NのタイプSiCのウエファー、模造の等級、10mm x 10mm

sicの結晶の欠陥

SiCで観察された欠陥のほとんどはまた他の結晶材料で観察されました。転位、積み重ね欠陥(SFs)、低い角度の境界(LABs)および双生児のように。ある他はIDBsのような弾丸音のブレンドかウルツ鉱構造を、持っている材料で現われます。他の段階からのMicropipesそして包含はSiCで主に現われます。

SiCのMicroElectromechanicalシステム（MEMS）およびセンサー

この本のmicromachiningのHeskethの章に記述されているように、siliconbased MEMSの開発そして使用は拡大し続けます。この章の前のセクションが従来の半導体の電子デバイスのためのSiCの使用に集中する間、出現MEMSの適用の重要な役割を担うと、SiCはまた期待されます。SiCに腐食性の大気に機械摩耗、また優秀な化学inertnessを減らす極度な硬度および低い摩擦のようなケイ素ベースのMEMSのある欠点に演説する優秀な機械特性があります。例えば、SiCsの優秀な耐久性は検査され電気micromotorsおよびケイ素の機械特性が不十分ようであるマイクロ ジェット機エンジンの発電の源のずっと持続期間操作のために可能になりますように。

残念ながら、SiCにケイ素より耐久にSiCをmicromachineにさらに困難にさせるまた同じ特性。これまでに得られる参照124および190でSiCおよびプロトタイプSiCMEMSの結果の製造の粗環境MEMSの構造へのアプローチは見直されます。行う無力は単一水晶4H-のエッチングを良模造し、ぬれた化学薬品（セクション5.5.4）との6H SiCはこの電子等級SiCのmicromachiningをさらに困難にします。従って、これまでにmicromachining SiCの大半はシリコンの薄片で沈殿する電気で劣ったheteroepitaxial 3C SiCおよび多結晶性SiCで実行されました。バルクにmicromachining、表面にmicromachiningの変化が、およびmicromolding技術は共鳴器およびmicromotorsを含むいろいろmicromechanical構造を、製造するのに使用されていました。ウエファーのスペースおよび費用を他のユーザーと共有している間シリコンの薄片のユーザーが実現することを可能にするmicromechanical製作プロセス鋳物場サービスの標準化されたSiCは彼らの自身のアプリケーション特有のSiCは装置をmicromachinedことを、商用化されています。

高温を、ケイ素で沈殿するSiCの層（セクション5.6.2に記述されているようにを含む高温トランジスター、）要求する適用のためにepilayersが付いている4H/6H SiCのウエファーのMEMSのはるかに可能な電子工学を統合するための概念と可能ではない低漏出SiCの電子工学はまた提案されました。例えば、ジェット・エンジンのより高い温度の地域の使用のために成長する圧力センサーは適切なセンサー操作を達成するように低い接続点の漏出が要求されるという事実のために6H SiCで、主として実行されます。また高温感知の場所で有利に信号処理を成長している可能にするオン破片4H/6Hはトランジスター電子工学を統合しました。すべてのmicromechanicalベースのセンサーによって、（SiCによって可能になる大いにより大きい温度のスパンに熱拡張係数のために組合わせを誤まる起こる）の賦課を感知要素に加工熱の引き起こされた圧力最小にするセンサーをある意味では包むことは重大です。従って（セクション5.5.6で前に述べられる）、高度の包装は粗い環境に有効にMEMSの操作上封筒を拡大することの方にSiCの使用ほとんど重大です。

セクション5.3.1に記述されているように、SiCの粗環境センサーの第一次適用は汚染を減らしている間燃料効率を改善することを燃焼機関システムの活動的なモニタリング及び制御が可能にすることです。一方の端の方に、SiCの高温機能は放出監視の適用および燃料装置の漏水検知のための大きい約束の触媒作用金属SiCおよび金属絶縁体SiCプロトタイプ ガス センサーの構造の認識を可能にしました。可能ではないケイ素とこれらの構造の高温操作は、冷却のための必要性なしにエンジンに容易に控えめに置くことができる非常に小型センサーの百万ごとの部分の感受性への水素および炭化水素の内容の変更の急速な検出を可能にします。但し、SiCベースのガス センサーの信頼性、再現性および費用へのそれ以上の改善はこれらのシステムの前に必要消費者自動車および航空機の広まった使用の準備ができていますです。一般に、同じは広まった有利なシステム挿入を達成しないほとんどのSiC MEMSのために粗い環境の高い信頼性がそれ以上のテクノロジー開発によって確実になるまで言うことができます。

限られるシアムンPowerwayの先端材料Co.は（PAM-XIAMEN）化合物半導体材料の統合の半導体の結晶成長、プロセス開発およびエピタクシーのためのハイテクな企業であり、そこにである2主要な分野化合物半導体のウエファーの研究そして生産を専門にする:SiC&GaNの文書（SiCのウエファーおよびエピタクシー、GaNのウエファーおよびepiのウエファー）およびIII-V材料（III-Vの基質およびepiサービス:INPウエファー、GaSbのウエファー、GaAsのウエファー、InAsのウエファーおよびInSbのウエファー）。私達のウエファーはLEDの半導体の照明、無線コミュニケーション、太陽エネルギー、赤外線装置、レーザーの探知器で広く利用されて、半導体力装置は、力装置、高温装置および光電装置を含んで、そこに、小型/マイクロLED、パワー エレクトロニクスおよびマイクロウェーブRFのためSiのGaNを含むGaNのウエファー、SiCのGaNおよびサファイアのGaNである。

一流の専門の会社として、私達は絶えず既存のプロダクトの質を改善することに努力している。PAM-XIAMENに大学院生で、医者構成される、強い技術的なR & Dのチームがマスターあり、強いR & Dの強さがある。会社の技術的な背骨は30yearsのための物質的な準備でおよび関連装置の設計および開発ほとんど従事して、材料、物質的な準備プロセスの身体検査の、化学および電気特性の詳細な研究がある。理論的な沈殿の多くの年および科学的な、科学技術の人員の実践経験の蓄積は関連した材料および装置の開発で会社の製品性能および装置の設計機構がユーザーの実際の技術的な、科学技術の必要性を満たすことを保障している間会社を持っている独特な洞察力および独特な利点を作る。