オン軸線6H NのタイプSiC （炭化ケイ素）のウエファー、生産の等級、準備ができたEpi 2"サイズ

6H NのタイプSiCのウエファー、生産の等級、準備ができたEpi 2"サイズ

PAM-XIAMENは良質の単結晶SiC （炭化ケイ素）のwaferfor電子および光電子工学工業を提供します。SiCのウエファーは高温および高い発電装置塗布のための次世代の半導体のmaterialwithの独特な電気特性そして優秀な熱特性です。SiCのウエファーは直径で2~6インチNタイプ、窒素および半絶縁のタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができます。より多くの情報のための私達に連絡して下さい。

炭化ケイ素の物質的な特性

6H NのタイプSiCのウエファー、生産の等級、準備ができたEpi 2"サイズ

SiCの結晶構造

polytypesと呼ばれるSiCの水晶に多くの異なった結晶構造があります。現在電子工学のために成長するSiCの共通のpolytypesは立方3C SiC、六角形4H SiCおよび6H SiCおよびrhombohedral 15R SiCです。これらのpolytypesはSiCの構造のbiatomの層の積み重ね順序によって特徴付けられます。詳細については、私達のエンジニアのチームを尋ねて下さい。

順序の積み重ね:

薄板にされた構造を作ろうと思えば私達は最上層から定義される程度で各層の厚さおよび各層の角度を伝統的に知らなければなりません。

Mohsの硬度:

スケールの点では表現される傷付くか、または摩耗への滑らかな表面の抵抗の荒い測定ドイツの鉱物学者がフリードリッヒ・モース（1812）案出する。鉱物のMohsの硬度は表面が知られていたか、または定義された硬度の物質によって傷付くかどうかの観察によって定められます。

密度:

材料の多く密度の か密度は単位体積ごとの固まりです。密度のために最も頻繁に使用される記号はρ （小文字のギリシャの手紙のrho）です。数学的に、密度は容積分けられる固まりと定義されます:

限られるシアムンPowerwayの先端材料Co.は（PAM-XIAMEN）化合物半導体材料の統合の半導体の結晶成長、プロセス開発およびエピタクシーのためのハイテクな企業であり、そこにである2主要な分野化合物半導体のウエファーの研究そして生産を専門にする:SiC&GaNの文書（SiCのウエファーおよびエピタクシー、GaNのウエファーおよびepiのウエファー）およびIII-V材料（III-Vの基質およびepiサービス:INPウエファー、GaSbのウエファー、GaAsのウエファー、InAsのウエファーおよびInSbのウエファー）。私達のウエファーはLEDの半導体の照明、無線コミュニケーション、太陽エネルギー、赤外線装置、レーザーの探知器で広く利用されて、半導体力装置は、力装置、高温装置および光電装置を含んで、そこに、小型/マイクロLED、パワー エレクトロニクスおよびマイクロウェーブRFのためSiのGaNを含むGaNのウエファー、SiCのGaNおよびサファイアのGaNである。

一流の専門の会社として、私達は絶えず既存のプロダクトの質を改善することに努力している。PAM-XIAMENに大学院生で、医者構成される、強い技術的なR & Dのチームがマスターあり、強いR & Dの強さがある。会社の技術的な背骨は30yearsのための物質的な準備でおよび関連装置の設計および開発ほとんど従事して、材料、物質的な準備プロセスの身体検査の、化学および電気特性の詳細な研究がある。理論的な沈殿の多くの年および科学的な、科学技術の人員の実践経験の蓄積は関連した材料および装置の開発で会社の製品性能および装置の設計機構がユーザーの実際の技術的な、科学技術の必要性を満たすことを保障している間会社を持っている独特な洞察力および独特な利点を作る。