ガリウム窒化物装置のためのサファイアの基質の10*10mm2 Undoped Epigan

10*10mm2 Undoped GaN/サファイアの基質

PAM-XIAMENの型板プロダクトはガリウム窒化物（GaN）、窒化アルミニウム（AlN）、アルミニウム ガリウム窒化物（AlGaN）およびサファイアの基質で沈殿するインジウム ガリウム窒化物（InGaN）の結晶の層から成っています。PAM-XIAMENの型板プロダクトは費用、収穫および性能の装置を改良できるより高い熱伝導性可能にします、およびよりよい構造質と20-50%より短いエピタクシーのサイクル時間そして良質のエピタキシアル装置層を。

サファイアの型板のPAMXIAMEN'sGaNは2"からの直径で利用でき6"まで、サファイアの基質で育つ結晶のGaNの薄層から成っています。利用できるEpi準備ができた型板今。

ここに詳細仕様を示します:

10*10mm2 Undoped GaN/サファイアの基質

10*10mm2 Undoped GaN/サファイアの基質

FWHMおよびXRDのレポート

テスト レポートは注文の記述と私達の最終的なウエファー データ間の承諾を示して必要です。ウエファーが習慣specに一致させなければ私達はX線Orientator等によって偏光顕微鏡によって無接触抵抗の試験装置によってローマ スペクトルの器械によって原子力の顕微鏡によって表面の粗さ、タイプ、抵抗、micropipe密度、オリエンテーションをテストする郵送物の前に装置によってウエファーが条件を満たせばウエファーのcharacerizationを、私達きれいになりますテストし、100つのクラスのクリーン ルームのそれらを詰めるために、それを取ります。

テストのプロジェクト:FWHMおよびXRDのプロジェクト

全幅半高さは（FWHM）最高の半分と等しい独立変数の2つの極度な価値間の相違によって与えられる機能の範囲の表現です。すなわち、それは最高の広さ半分ののＹ軸のそれらのポイントの間で測定される分光カーブの幅です。

AlNの型板のFWHMそしてXRDの例は次あります:

AlNの型板のFWHMそしてXRD

AlNの型板のFWHMそしてXRD

ここに私達は実験を一例として示します:

サファイアのGaNの実験:脈打ったレーザーの沈殿による異なった基質のGaNの厚いフィルムの光電子工学の特性そして構造性格描写:

サファイアのGaNの実験:脈打ったレーザーの沈殿による異なった基質のGaNの厚いフィルムの光電子工学の特性そして構造性格描写:

すべてのGaNのフィルムのサンプルは窒素血しょう周囲の空気の1000の◦CのPLDによって異なった基質で沈殿しました。部屋は10−6トルに沈殿プロセスが始まった、N2のガスは（99.999%の純度と）もたらされました前にポンプでくまれ。N2血しょうが注入されたら働き圧力は1.13の× 10−4のトルでした。KrFのエキシマー レーザー（λ = 248 nm、Lambda Physik、Fort Lauderdale、FL、米国）は切除の源として用いられ、60 mJの1つのHzそしてパルス エネルギーの繰返し率と作動しました。GaNのフィルムの平均成長率はおよそ1 µm/h.でした。レーザ光線は45◦の回転ターゲットのの斜めに事件でした。GaNターゲットはフィルムの沈殿の間に30のrpmで回る前の基質からの9 cmの固定間隔のHVPEそしてセットによって製造されました。この場合、GaNの~4のµm厚いフィルムはGaN/サファイアの型板（A）のでサファイア（サンプルB）、Si （111） （サンプルC）、およびSi （100）サンプル育ちました（サンプルD）。サンプルAのGaNのために、2-µm GaNの層はMOCVDによってサファイアの基質で第一に沈殿しました。スキャンの電子顕微鏡検査（SEM、S-3000H、日立、東京、日本）、伝達電子microcopy （TEM、H-600、日立、東京、日本）、原子力の顕微鏡検査（AFM、DI-3100、Veeco、ニューヨーク、NY、米国）、二重水晶のX線回折（XRD、X'PertプロMRD、PANalytical、アルメロ、ネザーランド）、低温photoluminescence （PL、Flouromax-3、Horiba、東京、日本）、およびラマン分光学（Jobin Yvon、Horiba、東京、日本）は異なった基質で沈殿したGaNの型板の微細構造そして光学的性質を探検するために用いられました。GaNのフィルムの電気特性は77 Kで冷却する液体窒素の下のヴァンder Pauwホールの測定によって定められました

図3はさまざまな基質で育つGaNのfifilmsの平面眺めSEM映像を示します。表面の形態は使用される基質のタイプに強く依存しているので、異なった特徴を示します。サンプルAおよびBのGaNのfifilmsの表面は鏡のようで、GaNとサファイア（図3aのb）間の格子不適当な組み合わせのより少しを示します。滑らかな表面は表面基質のGaNの前駆物質の移動そして拡散のためのPLDによって必要とされる高い運動エネルギーが原因であるかもしれません[28]。その間GaNfifilmの荒い表面はサンプルC （図3c）で観察されました。サンプルDは不完全の示しました

図3dに示すように六角形の構造との島の凝結プロセス。この結果はSi （100）のGaNのfifilmsが六角形段階を過すことを示します。穀物の別のGaNのfifilmの構造はSiの基質[29]の別の格子構造に帰因させることができます。異なった基質で育った図4.に示すように10 ×のスキャン区域のAFMの測定によってGaNのfifilmsの表面の形態そして荒さは10 µm2、遂行されました。

別の図3.スキャンの育つGaNのfifilmsの電子顕微鏡検査の(SEM)の表面のイメージ

基質:（a） GaN/サファイアの型板（A）サンプル;（b）サファイア（B）サンプル;（c） Si （111） （サンプルC） （d） sia （100） （見本抽出される）

結論:GaN/サファイアの型板、サファイア、Si （111）、および高温PLDによってSi （100）で育つGaNの厚いfiのlms。より多くの製品に関する情報を必要とすれば、GaNの結晶の成長の質に対する基質の効果、表面の形態、圧力の行動およびインターフェイス特性は尋ねます私達を調査されました。

限られるシアムンPowerwayの先端材料Co.は（PAM-XIAMEN）化合物半導体の物質的な統合の半導体の結晶成長、プロセス開発およびエピタクシーのためのハイテクな企業で、そこにです2つの本管分野化合物半導体のウエファーの研究そして生産を専門にします:SiC&GaNの文書（SiCのウエファーおよびエピタクシー、GaNのウエファーおよびepiのウエファー）およびIII-V材料（III-Vの基質およびepiサービス:INPウエファー、GaSbのウエファー、GaAsのウエファー、InAsのウエファーおよびInSbのウエファー）。私達のウエファーはLEDの半導体の照明、無線コミュニケーション、太陽エネルギー、赤外線装置、レーザーの探知器で広く利用されて、半導体力装置は、力装置、高温装置および光電装置を含んで、そこに、小型/マイクロLED、パワー エレクトロニクスおよびマイクロウェーブRFのためSiのGaNを含むGaNのウエファー、SiCのGaNおよびサファイアのGaNです。

一流の専門の会社として、私達は絶えず既存のプロダクトの質を改善することに努力しています。PAM-XIAMENに大学院生で、医者構成される、強い技術的なR & Dのチームがマスターあり、強いR & Dの強さがあります。会社の技術的な背骨は30yearsのための物質的な準備でおよび関連装置の設計および開発ほとんど従事して、材料、物質的な準備プロセスの物理的な、化学電気特性の詳細な研究があります。理論的な沈殿の多くの年および科学的な、科学技術の人員の実践経験の蓄積は会社の製品性能および装置の設計機構がユーザーの実際の技術的な、科学技術の必要性を満たすことを保障している間会社に関連した材料および装置の開発の独特な洞察力そして独特な利点があらせます。