10*10mm2 U-GaN支えがないGaNのSingle-Crystal基質

10*10mm2 U-GaN支えがないGaNの基質

PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育てられて、GaNの私達の基質に低い欠陥密度がおよびより少しか自由なマクロ欠陥密度があります。

PAM-XIAMENはさまざまなオリエンテーションのGaNの基質を含むGaNのフル レンジをそして関連III-N材料および電気伝導率、crystallineGaN&AlNの型板および注文III-Nのepiwafers提供します。

ここに詳細仕様を示します:

10*10mm2 U-GaN支えがないGaNの基質

10*10mm2 U-GaN支えがないGaNの基質

PAM-XIAMENのGaN （ガリウム窒化物）の基質は元のHVPE方法およびウエファーの加工技術となされる良質のsinglecrystal基質です。それらは高く結晶、よい均等性および優秀な表面質です。GaNの基質は多くの種類の適用のために、白いLEDおよびLD （すみれ色、青および緑）のための使用されます、なお開発は力および高周波電子デバイスの塗布のために進歩しました。

GaNの技術は産業の、消費者およびサーバー電源、太陽の、ACドライブおよびUPSインバーターおよび雑種および電気自動車のような多数の強力な適用で使用されます。なお、GaNは高い故障の強さのおかげでネットワーキングの細胞基地局のようなRFの適用に理想的に、レーダーおよびケーブル・テレビ下部組織、大気および宇宙空間および防衛セクター、低雑音図および高い直線性適します。

XRDの動揺のカーブGaN材料テスト レポート

テスト レポートは注文の記述と私達の最終的なウエファー データ間の承諾を示して必要です。ウエファーが習慣specに一致させなければ私達はX線Orientator等によって偏光顕微鏡によって無接触抵抗の試験装置によってローマ スペクトルの器械によって原子力の顕微鏡によって表面の粗さ、タイプ、抵抗、micropipe密度、オリエンテーションをテストする郵送物の前に装置によってウエファーが条件を満たせばウエファーのcharacerizationを、私達きれいになりますテストし、100つのクラスのクリーン ルームのそれらを詰めるために、それを取ります。

全幅半高さは（FWHM）最高の半分と等しい独立変数の2つの極度な価値間の相違によって与えられる機能の範囲の表現です。すなわち、それは最高の広さ半分ののＹ軸のそれらのポイントの間で測定される分光カーブの幅です。

GaNの文書のXRDの動揺のカーブの例は次あります:

GaNの文書のXRDの動揺のカーブ

限られるシアムンPowerwayの先端材料Co.は（PAM-XIAMEN）化合物半導体材料の統合の半導体の結晶成長、プロセス開発およびエピタクシーのためのハイテクな企業であり、そこにである2主要な分野化合物半導体のウエファーの研究そして生産を専門にする:SiC&GaNの文書（SiCのウエファーおよびエピタクシー、GaNのウエファーおよびepiのウエファー）およびIII-V材料（III-Vの基質およびepiサービス:INPウエファー、GaSbのウエファー、GaAsのウエファー、InAsのウエファーおよびInSbのウエファー）。私達のウエファーはLEDの半導体の照明、無線コミュニケーション、太陽エネルギー、赤外線装置、レーザーの探知器で広く利用されて、半導体力装置は、力装置、高温装置および光電装置を含んで、そこに、小型/マイクロLED、パワー エレクトロニクスおよびマイクロウェーブRFのためSiのGaNを含むGaNのウエファー、SiCのGaNおよびサファイアのGaNである。

一流の専門の会社として、私達は絶えず既存のプロダクトの質を改善することに努力している。PAM-XIAMENに大学院生で、医者構成される、強い技術的なR & Dのチームがマスターあり、強いR & Dの強さがある。会社の技術的な背骨は30yearsのための物質的な準備でおよび関連装置の設計および開発ほとんど従事して、材料、物質的な準備プロセスの身体検査の、化学および電気特性の詳細な研究がある。理論的な沈殿の多くの年および科学的な、科学技術の人員の実践経験の蓄積は関連した材料および装置の開発で会社の製品性能および装置の設計機構がユーザーの実際の技術的な、科学技術の必要性を満たすことを保障している間会社を持っている独特な洞察力および独特な利点を作る。