(水素化合物の蒸気段階のエピタクシーによる11-22の)平面SiGaN支えがないGaNの基質

原産地:中国
最低順序量:1-10,000pcs
支払の言葉:T/T
供給の能力:10,000のウエファー/月
受渡し時間:5-50仕事日
包装の細部:、単一の容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる
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Xiamen Fujian China
住所: #506BのHenghuiの繁華街、No.77のLingxiaナンの道、ハイテクの地帯、Huli、シアムン361006、中国
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 11 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

 

(水素化合物の蒸気段階のエピタクシーによる11-22の)平面SiGaN支えがないGaNの基質

 

PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない(ガリウム窒化物) GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育てられて、GaNの私達の基質に低い欠陥密度がおよびより少しか自由なマクロ欠陥密度があります。

 

PAM-XIAMENはさまざまなオリエンテーションのGaNの基質を含むGaNのフル レンジをそして関連III-N材料および電気伝導率、crystallineGaN&AlNの型板および注文III-Nのepiwafers提供します。

 

 

(11-22の)平面SiGaN支えがないGaNの基質

項目PAM FSGaN (11-22) - SI
次元5つx 10のmm2
厚さ350 ±25 µm 430の±25 µm
オリエンテーション

(10-11)軸線0 ±0.5°の方に角度を離れて平にして下さい

(10-11) C軸線-1 ±0.2°の方に角度を離れて平にして下さい

伝導のタイプ半絶縁
抵抗(300K)> 106 Ω·cm
TTV≤ 10のµm
-10 µmの≤の弓≤ 10のµm
表面の粗さ

前側:RA<0>

裏側:良い地面または磨かれる。

転位密度1 x 10 5から5 x 10 6 cm-2から
マクロ欠陥密度0のcm-2
使用可能な区域> 90% (端の排除)
パッケージ単一のウエファーの容器のそれぞれ、クラス100のクリーン ルームで詰まる窒素の大気の下で

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(11-22の)平面SiGaN支えがないGaNの基質

PAM-XIAMENのGaN (ガリウム窒化物)の基質は元のHVPE方法およびウエファーの加工技術となされる良質のsinglecrystal基質です。それらは高く結晶、よい均等性および優秀な表面質です。GaNの基質は多くの種類の適用のために、白いLEDおよびLD (すみれ色、青および緑)のための使用されます、なお開発は力および高周波電子デバイスの塗布のために進歩しました。

 

GaNの技術は産業の、消費者およびサーバー電源、太陽の、ACドライブおよびUPSインバーターおよび雑種および電気自動車のような多数の強力な適用で使用されます。なお、GaNは高い故障の強さのおかげでネットワーキングの細胞基地局のようなRFの適用に理想的に、レーダーおよびケーブル・テレビ下部組織、大気および宇宙空間および防衛セクター、低雑音図および高い直線性適します。

 

XRDの動揺のカーブGaN材料テスト レポート

 

テスト レポートは注文の記述と私達の最終的なウエファー データ間の承諾を示して必要です。ウエファーが習慣specに一致させなければ私達はX線Orientator等によって偏光顕微鏡によって無接触抵抗の試験装置によってローマ スペクトルの器械によって原子力の顕微鏡によって表面の粗さ、タイプ、抵抗、micropipe密度、オリエンテーションをテストする郵送物の前に装置によってウエファーが条件を満たせばウエファーのcharacerizationを、私達きれいになりますテストし、100つのクラスのクリーン ルームのそれらを詰めるために、それを取ります。

 

全幅半高さは(FWHM)最高の半分と等しい独立変数の2つの極度な価値間の相違によって与えられる機能の範囲の表現です。すなわち、それは最高の広さ半分ののY軸のそれらのポイントの間で測定される分光カーブの幅です。

 

GaNの文書のXRDの動揺のカーブの例は次あります:

 

GaNの文書のXRDの動揺のカーブ

 

商品のタグ:
China (水素化合物の蒸気段階のエピタクシーによる11-22の)平面SiGaN支えがないGaNの基質 supplier

(水素化合物の蒸気段階のエピタクシーによる11-22の)平面SiGaN支えがないGaNの基質

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