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プロダクト細部
| 包装 | テープ及び巻き枠(TR) | |
|---|---|---|
| 部分の状態 | 予備 | |
| FETのタイプ | N-Channel | |
| 技術 | MOSFET (金属酸化物) | |
| 流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 30V | |
| 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 5.8A (Ta) | |
| ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 2.5V、10V | |
| (最高) @ ID、VgsのRds | 28mOhm @ 5.8A、10V | |
| Vgs ((最高) Th) @ ID | 1.45V @ 250µA | |
| ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 7nC @ 4.5V | |
| Vgs (最高) | ±12V | |
| 入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 630pF @ 15V | |
| FETの特徴 | - | |
| 電力損失(最高) | 1.4W (Ta) | |
| 実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) | |
| タイプの取付け | 表面の台紙 | |
| 製造者装置パッケージ | SOT-23-3 | |
| パッケージ/場合 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 |
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