SI2399DSのトランジスターSI2399DS-T1-GE3 P-Channel MOSFETのトランジスター20V 6A SOT-23
原産地:米国
型式番号:SI2399DS-T1-GE3
パッケージのタイプ:表面の台紙
ブランド:MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
実用温度:-55°C | 150°C （TJ）
土台のタイプ:表面の台紙
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確認済みサプライヤー
Shenzhen
住所：
Rm18 Bは、AのDuhui100 Zhonghangの道、福田区、シンセン中国を妨げます
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 25 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
プロダクト細部
| シリーズ | TrenchFET® |
|---|---|
| 包装 | 切りなさいテープ（CT）を |
| 部分の状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 20V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 6A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 2.5V、10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 34 mOhm @ 5.1A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 1.5V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Vgs （最高） | ±12V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 835pF @ 10V |
| 電力損失（最高） | 2.5W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | SOT-23-3 （TO-236） |
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