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包装 | 切りなさいテープ(CT)を |
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部分の状態 | 活動的 |
FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 60V |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 115mA (Ta) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 5V、10V |
(最高) @ ID、VgsのRds | 7.5オーム@ 500mA、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 2.5V @ 250µA |
Vgs (最高) | ±20V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
電力損失(最高) | 200mW (Ta) |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
製造者装置パッケージ | SOT-23 (TO-236AB) |
パッケージ/場合 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 |
基礎部品番号 | 2N7002 |
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