MosfetのトランジスターTPCA8016-H TPCA8016H QFN8 60V 25A 1 N-Channelの高性能DC-DCのコンバーターの電子部品ICを粉にしなさい
原産地:米国
型式番号:TPCA8016-H
パッケージのタイプ:QFN8
タイプ:Field-Effectのトランジスター
パッケージ/場合:QFN8
無鉛状態/RoHSの状態:迎合的な無鉛/RoHS
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確認済みサプライヤー
Shenzhen
住所：
Rm18 BのブロックAのDuhui100 Zhonghangの道、福田区、シンセン中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 25 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
製品の説明
| 包装 | Digi巻き枠 |
|---|---|
| 部分の状態 | 時代遅れ |
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 60V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 25A （Ta） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 21 mOhm @ 13A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 2.3V @ 1mA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1375pF @ 10V |
| 電力損失（最高） | 1.6W （Ta）、45W （Tc） |
| 実用温度 | 150°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | 8-SOP前進（5x5） |
| パッケージ/場合 | 8-PowerVDFN |
特徴:
高性能DC/DCのコンバーターの塗布
•小さく、薄いパッケージによる小さい足跡
•高速切換え
•小さいゲート充満:Qsw = 6.6 NC （タイプ。）
•抵抗の低い下水管源:RDSの（） = 16 mΩ （タイプ。）
•高い前方移動アドミタンス:|Yfs|= 40 S （タイプ。）
•低い漏出流れ:IDSS = 10 µA （最高） （VDS = 60 V）
•強化モード:Vth = 1.1から2.3ボルト（VDS = 10のボルト、ID = 1 mA）
高性能DC/DCのコンバーターの塗布
•小さく、薄いパッケージによる小さい足跡
•高速切換え
•小さいゲート充満:Qsw = 6.6 NC （タイプ。）
•抵抗の低い下水管源:RDSの（） = 16 mΩ （タイプ。）
•高い前方移動アドミタンス:|Yfs|= 40 S （タイプ。）
•低い漏出流れ:IDSS = 10 µA （最高） （VDS = 60 V）
•強化モード:Vth = 1.1から2.3ボルト（VDS = 10のボルト、ID = 1 mA）
Yonlanda Skype: qyt-yolanda1 電子メール: yonlandasong （で） quanyuantong.net |
MosfetのトランジスターTPCA8016-H TPCA8016H QFN8 60V 25A 1 N-Channelの高性能DC-DCのコンバーターの電子部品ICを粉にしなさい
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