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記述:
JY213Lは,電源MOSFETおよびIGBTデバイスのための高速3相ゲートドライバで,3つの独立した高側および低側参照出力チャネルを有する.ダウンタイム保護と射撃通過保護は,半橋の損傷を防ぐUVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ. A novel high-voltage BCD process and common-mode noise canceling technique provide stable operation of high-side drivers under high dV/dt noise conditions while achieving excellent negative transient voltage tolerance起動ピン (EN) が付属しているため,待機モードでチップを低静止電流状態に設定して長時間バッテリー寿命を実現できます.
特徴:
• 組み込み 90V 半ブリッジ 高サイドドライバ
• 3相半ブリッジゲートまで駆動可能
• 各上部チャネルに内蔵されたブーツベルトダイオード
• ダウンタイム 保護
• 射撃 防止
• VCC と VBS の電圧ロックダウン 下
VCC と VBS の低電圧 0 〜 5.5V
● 3.3Vと5Vのインプット・ロジック互換性
• 低待機電流のピン (EN) を有効にする
• IO+/IO-: +1.2A/ ¥2.0A VCC=15V,VBS=15Vで
• 内蔵 の 静止 時間
• 一般モード dV/dt 騒音消去回路
負電圧の容量
• 低DI/dtゲートドライブにより騒音抵抗性が向上します
摂氏40〜125°Cの操作範囲
• 小規模なパッケージ
応用:
•E-BIKE/電動動工具 3相モータードライバー
• バッテリー駆動 ミニモーター/マイクロモーター制御
• 一般用途のインバーター
ブロック図:
典型的なアプリケーション回路:
PIN 設定:
PIN 記述:
ピン名 | 記述 | ピンナンバー | |
TSSOP20L | TSSOP24L | ||
HIN1 | 高端ゲートドライバーの論理入力 | 1 | 1 |
HIN2 | 2 段階 高端ゲートドライバーの論理入力 | 2 | 2 |
HIN3 | 高端ゲートドライバーの論理入力 | 3 | 3 |
LIN1 | 低側ゲートドライバーの論理入力 | 4 | 4 |
LIN2 | 低側ゲートドライバーの論理入力 | 5 | 5 |
LIN3 | 低側ゲートドライバーの論理入力 | 6 | 6 |
EN について | 待機モード制御のための論理入力 | - | 7 |
VCC | ロジックと低側ゲートドライバーの電源電圧 | 7 | 8 |
COM について | ロジック・グラウンドと低サイド・ゲート・ドライバのグラウンド | 8 | 9 |
LO3 | 低側ゲートドライバ出力 | 9 | 10 |
LO2 | 低側ゲートドライバ出力 | 10 | 11 |
LO1 | 低側ゲートドライバ出力 | 11 | 12 |
NCで | - | 13 | |
VS3 | 高面ドライバーの浮動電源のオフセット電圧 | 12 | 14 |
HO3 | ステージ3 高端ドライバー出力 | 13 | 15 |
VB3 | 高面ドライバーの浮動供給 | 14 | 16 |
NCで | 接続されていない | - | 17 |
VS2 | 2 段階 高端ドライバーの浮動電源オフセット電圧 | 15 | 18 |
HO2 | 2 段階 高端ドライバ出力 | 16 | 19 |
VB2 | 2 段階 高端ドライバーの浮動供給 | 17 | 20 |
NCで | 接続されていない | - | 21 |
VS1 | 高面ドライバーの浮動電源のオフセット電圧 | 18 | 22 |
HO1 | ステージ1 高端ドライバー出力 | 19 | 23 |
VB1 | 高面ドライバーの浮動供給 | 20 | 24 |
パッケージ情報:
詳細の製品情報については,メールで私たちと連絡してください: ivanzhu@junqitrading.com