47.5 mmの± 1.5 mm SiCのエピタキシアル ウエファー150.0 mm +0mm/-0.2mm平行to<11-20>±1°

原産地:蘇州中国
支払の言葉:T/T
受渡し時間:3-4 週日
包装の細部:クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
型式番号:JDCD03-001-003
製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー
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47.5 mmの± 1.5 mm SiCのエピタキシアル ウエファー150.0 mm +0mm/-0.2mm平行to±1°<11-20>

JDCD03-001-003


概観

現在、SiCのウエファーの2つの主なタイプがある。最初のタイプは単一の炭化ケイ素ディスクの磨かれたウエファーである。それは高純度SiCの水晶から成り、直径の100mmまたは150mmのどれである場合もある。それは強力な電子工学で使用される。第2タイプはエピタキシアル結晶の炭化ケイ素のウエファーである。このタイプのウエファーは表面へ単一の炭化ケイ素の水晶の層を加えることによって作成される。この方法は材料の厚さの精密な制御を要求し、nタイプのエピタクシーと言われる。


特性

P-MOSの等級P-SBDの等級Dの等級
結晶形4H
Polytypeどれも割り当てなかったArea≤5%
(MPD) a≤0.2 /cm2≤0.5 /cm2≤5 /cm2
六角形の版どれも割り当てなかったArea≤5%
六角形のPolycrystalどれも割り当てなかった
包含aArea≤0.05%Area≤0.05%N/A
抵抗0.015Ω•cm0.025Ω•cm0.015Ω•cm0.025Ω•cm0.014Ω•cm0.028Ω•cm
(EPD) a≤4000/cm2≤8000/cm2N/A
(テッド) a≤3000/cm2≤6000/cm2N/A
(BPD) a≤1000/cm2≤2000/cm2N/A
(TSD) a≤600/cm2≤1000/cm2N/A
積み重ね欠陥≤0.5%区域≤1%区域N/A

表面の金属汚染


(Al、Cr、Fe、NIのCU、Zn、Pb、Na、Kのチタニウム、カリフォルニア、V、Mn) ≤1E11 cm-2

直径150.0 mm +0mm/-0.2mm
表面のオリエンテーションOff-Axis:4°toward <11-20>±0.5の°
第一次平らな長さ± 47.5 mmの1.5 mm
二次平らな長さ二次平たい箱無し
第一次平らなオリエンテーション平行to±1°<11-20>
二次平らなオリエンテーションN/A
直角Misorientation±5.0°
表面の終わりC表面:光学ポーランド語のSi表面:CMP
ウエファーの端斜角が付くこと

表面の粗さ

(10μm×10μm)

Siの表面Ra≤0.20 nm;Cの表面Ra≤0.50 nm
厚さa350.0μm± 25.0 μm
LTV (10mm×10mm) a≤2μm≤3μm
(TTV) a≤6μm≤10μm
(弓) a≤15μm≤25μm≤40μm
(ゆがみ) a≤25μm≤40μm≤60μm
破片/刻み目どれも≥0.5mmの幅および深さを割り当てなかったQty.2 ≤1.0 mmの幅および深さ

a

(Siの表面、CS8520)

≤5および累積Length≤0.5×Waferの直径

≤5および累積Length≤1.5×Wafer

直径

TUA (2mm*2mm)≥98%≥95%N/A
ひびどれも割り当てなかった
汚染どれも割り当てなかった
特性P-MOSの等級P-SBDの等級Dの等級
端の排除3mm

注目:3mmの端の排除はa.と印が付いている項目のために使用される


私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。


FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

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47.5 mmの± 1.5 mm SiCのエピタキシアル ウエファー150.0 mm +0mm/-0.2mm平行to<11-20>±1°

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