電力装置 5x10mm2 無ドープ N型自由立体GANシングルクリスタル基板抵抗力0.1 Ω·cmとBOW 10μm以内

型式番号:JDCD01-001-013

原産地:蘇州中国

支払の言葉:T/T

供給の能力:10000pcs/Month

受渡し時間:3-4 週日

包装の細部:クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

確認済みサプライヤー

Shanghai Shanghai China

住所：ビル 11、レーン 1333、江南大道、長興町、崇明区、上海

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製品詳細会社概要

製品詳細

5*10mm2 SP表面（11-12） Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗 < 0="">

概観
90年代以来、ずっとそれは発光ダイオード（LED）で一般に使用されている。ガリウム窒化物はBlu-rayでディスク読書に使用する青いライトを放つ。さらに、ガリウム窒化物は半導体力装置、RFの部品、レーザーおよびphotonicsで使用される。将来、私達はセンサー技術のGaNを見る。

（11- 22） GaNの支えがない基質に直面しなさい
項目	GaN FS SPU S	GaN FS SPN S	GaN FS SP SIS	注目: 円アークの角度（R < 2="" mm="">
次元	5つx 10のmm²
厚さ	350 ±25 µm
オリエンテーション	（M軸線0 ±0.5°の方の角度を離れた11-22の）平面（C軸線- 1 ±0.2°の方の角度を離れた11-22の）平面
伝導のタイプ	Nタイプ	Nタイプ	Semi-Insulating
抵抗（300K）	< 0="">	< 0="">	> 106 Ω·cm
TTV	≤ 10のµm
弓	- 10 µmの≤の弓≤ 10のµm
前部表面の粗さ	< 0=""> または < 0="">
背部表面の粗さ	0.5の~1.5 μm 選択:1~3 nm （良い地面）; < 0="">
転位密度	1つx 105から3つx 106のcm-2から
マクロ欠陥密度	0のcm-2
使用可能な区域	> 90% （端の排除）
パッケージ	、6 PCSの容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーンルームの環境で包まれる

付録:miscutの角度の図表

M軸線の方の角度を離れたδなら₁ = 0 ±0.5°、（11-22の）平面は0 ±0.5°である。

δなら₂ = - C軸線の方の角度を離れた1 ±0.2°、（11-22の）平面はある- 1 ±0.2°。

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。