連絡先
連絡窓口：
Xiwen Bai (Ciel)
会社名：
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
会社の場所:
ビル 11、レーン 1333、江南大道、長興町、崇明区、上海
工場立地:
ビル 11、レーン 1333、江南大道、長興町、崇明区、上海
従業員の数:
>100
事業の種類：
製造業者
ブランド:
GaNova
ウェブサイト：
https://www.epi-wafers.com/
4 インチ P 型 Mg ドープ GaN オン サファイア ウエハー SSP 抵抗率~10Ω Cm LED レーザー PIN エピタキシャル ウエハー
A 面 N 型自立型 GaN ガリウム単結晶基板 アンドープ
4 インチ青色 LED GaN エピタキシャル ウェーハ C 面フラット サファイア
12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した
100mm 4はサファイアSSPの厚さ5um - 6umの青いLED GaNのエピタキシアル ウエファーをじりじり動かす
支えがない N GaN の基質 N の表面の粗さ 0.5um to1.5um
サファイア SSP 上のフラット サファイア 4 インチ青色 LED GaN エピタキシャル ウェーハ
サファイアのウエファーの青緑LEDのウエファーの平らなサファイアの4inch GaN 100つのmm
サファイアSSPの平らなサファイアの675um 4インチ青いLED GaNのエピタキシアル ウエファーへの625um
FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置
4インチ4H-SiC 基質PレベルSI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 抵抗≥1E5Ω·cm パワーマイクロ波用
0.015Ω•cm0.025Ω•cm SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP
要求の厳しいパワーエレクトロニクス向けの2インチSiC基板350μm
150.0mm +0mm/-0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 47.5mm ± 1.5mm
パワーデバイス、マイクロ波デバイス向けPレベル2インチSiC基板
