TLV272IDGKR アンプ IC チップ低消費電力高出力高利得

型式番号:TLV272IDGKR
原産地:複数の起源
最低順序量:1
支払い条件:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 38 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

TLV272IDGKR パワーアンプチップ 低消費電力 高出力 高ゲイン


製品の特徴:


- 動作電圧範囲 4.5 V ~ 16 V
- 単一電源動作
- ゲイン範囲 +2 ~ +100
- 低ノイズと低歪み
- 高出力電流駆動能力
- ユニティゲインが安定
- 低入力バイアス電流
- 低消費電力
- 8ピンDIPおよびSOICパッケージで利用可能


アプリケーション:


- オーディオおよびビデオ信号処理
- ポータブルおよびバッテリー駆動の製品
- 車載オーディオおよびビデオ
- 計測と制御
- データの取得と処理
- アクティブフィルター
- 医療機器
- 通信システム
- 産業用プロセス制御


製品の状態
アクティブ
アンプの種類
回路数
2
出力タイプ
レールからレールへ
スルーレート
2.6V/μs
ゲイン帯域幅積
3MHz
電流 - 入力バイアス
1pA
電圧 - 入力オフセット
500μV
電流 - 供給
550μA (x2チャンネル)
電流 - 出力/チャンネル
8mA
電圧 - 供給スパン (最小)
2.7V
電圧 - 供給スパン (最大)
16V
動作温度
-40℃~125℃(TA)
取付タイプ
パッケージ・ケース
サプライヤーデバイスパッケージ
8-VSSOP
基本製品番号

当社から購入する理由 >>>早い・安全・便利


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