Mosfetの管FDMC4435BZの高速高性能の電源スイッチ
型式番号:FDMC4435BZ
原産地:複数の起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
フェアチャイルドの半導体FDMC4435BZ MOSFETのパワー エレクトロニクス
特徴:
•低いオン抵抗
•低い入れられたキャパシタンス
•単一の脈拍のなだれエネルギーは評価した
•テストされる100% UIS
•平行になる容易さ
•速い切換え
•無鉛迎合的な終わり/Rohs
適用:
•DC-DCのコンバーター
•運動制御
•無停電電源装置
•自動車
•高性能の切換え
•電池管理
•木びき台、倍力および隔離されたコンバーター
指定:
•下水管源の電圧（Vdss）:40V
•ゲート源の電圧（Vgs）:±20V
•現在-連続的な下水管（ID） （Vgs=10Vで）:40A
•RdsOn （最高） @ ID、Vgs:8 mOhm @ 20A、10V
•入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:3700pF @ 25V
•パワー最高:130W
プロダクト状態 | 活動的 | |
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 20mOhm @ 8.5A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 3V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 46 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±25V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 2045 pF @ 15ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 2.3W （Ta）、31W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | 8-MLP （3.3x3.3） | |
パッケージ/場合 | ||
基礎プロダクト数 |
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Mosfetの管FDMC4435BZの高速高性能の電源スイッチ
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