FDD86102 MOSFET トランジスタ モジュールの高効率と信頼性
型式番号:FDD86102
原産地:複数の起源
最低順序量:1
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FDD86102 MOSFET パワー エレクトロニクス
FDD86102 は、高効率の電力変換を提供するように設計された MOSFET パワー エレクトロニクス デバイスです。低いオン抵抗と低いゲート電荷を備え、優れた電力供給を実現します。このデバイスは薄型の熱強化パッケージで構成されており、さまざまなアプリケーションでの使用に適しています。
特徴：
• 低いオン抵抗 - RDS(on) : 2.2 mOhm (最大)
• 低ゲート電荷 - Qg : 11.5 nC (最大)
• 薄型、熱強化パッケージ
• ハロゲンフリーおよびRoHS準拠
・高効率電力変換に最適
• 高電圧動作 - VDS : 100 V (最大)
• 大電流動作 - ID : 30 A (最大)
製品の状態 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 24ミリオーム @ 8A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 19nC@10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1035 pF @ 50 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 3.1W(Ta)、62W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252AA | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
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