共通力Mosfet NTMT090N65S3HFの良質の高性能
型式番号:NTMT090N65S3HF
原産地:複数の起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
NTMT090N65S3HF MOSFETのパワー エレクトロニクス
製品の機能:
•900V N-Channel MOSFET
•30A RDS （）
•低いゲート充満
•ミラー低いキャパシタンス
•高速切換え
•低いQgおよびQgd
•テストされる100% UIS
•迎合的なRoHS
指定:
•構成:N-Channel
•下水管源の電圧（VDS）:900V
•連続的な下水管の流れ（ID）:30A
•下水管源のオン抵抗（RDS （））:0.0058オーム
•ゲート源の電圧（VGS）:±20V
•ゲート充満（Qg）:48nC
•入れられたキャパシタンス（Ciss）:3.2nF
•電力損失（PD）:109W
•実用温度:-55°Cへの150°C
•トランジスター箱様式:TO-220AB
•ピンのNO:3
•タイプの取付け:穴を通して
プロダクト状態 | ない新しい設計のために | |
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 90mOhm @ 18A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 5V @ 860µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 66 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±30V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 2930 pF @ 400ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 272W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | 4-PQFN （8x8） | |
パッケージ/場合 |
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共通力Mosfet NTMT090N65S3HFの良質の高性能
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